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西部数据在二月二十八日的Storage Field Day活动中透漏了其正在开发低延迟闪存（Low-Latency Flash，LLF）的消息。这种技术将填补现在的NAND闪存与内存之间的空白。  西部数据的存储产品解决方案副总裁在这次宣讲会中说讲解说这种闪存芯片不同于现有的NAND闪存，为了实现低延迟，他们定制了这种芯片的Die。但是由于性能提高，所以LLF闪存的价格将比现有NAND闪存价格高三倍，但是要比内存价格低十倍。所以采用这种芯片的产品价格会更高，应该是面向高端市场的。  而西数在此次讲解中透露的情况来看LLF闪存在延迟表现上依旧比DRAM差很多，所以无法作为非易失性内存芯片（non-volatile memory，NVM）。而诸如这种闪存芯片的更具体的内部结构、容量、具体测试数据等，西数并没有透漏很多。而在此之前与西数联合的东芝半导体公布了高性能闪存XL-Flash闪存，同样拥有低延迟特性，所以不知道西数此次讲解的这款LLF闪存是否与东芝有关系。 在高性能闪存市场上，三星的Z-NAND闪存和英特尔的3D-Xpoint系列都已经有产品推出。但是根据其讲解，西数准备在适当的时侯再推出这款产品。 |
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