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目前手机闪存最高规格是 256GB，但这并不是终点，因为存储厂商们还在努力把更大的容量压缩成小巧的芯片。这其中，专注于手机内存和闪存芯片的三星就要有大动作了。 三星半导体在近期的加尼福尼亚圣克拉拉举行的闪存峰会上，展示了该公司全新的 Vertical-NAND 存储解决方案和技术。三星宣布，将于明年正式推出 1TB 的 V-NAND 芯片，这是业界首款采用三维结构单芯片设计的 NAND 芯片。 据介绍，这款 1TB V-NAND 芯片将通过堆叠 16 个 1TB 模具，来使 2TB 存储装入单个 V-NAND 进行封装。三星表示，其将代表过去 10 年中存储方面最重要的进展之一。 为此，三星解决方案开发执行副总裁郑在宪（音译）在主题演讲时介绍称，三星在韩国京畿道平泽市启用了全新的 V-NAND 芯片生产线。 随着基于人工智能和物联网技术的行业数据密集型应用的迅速增长，闪存的作用已经成为加速提取信息并用以实时分析速度的关键。因此，全新的 SSD 和闪存芯片在未来将会具备更智能的解决方案，例如在机器学习和高性能表现方面。 搭载 512GB 存储的手机还没发布，转眼 1TB 闪存芯片都要来了，然而最悲伤的是小雷却还在默默使用 64GB 存储的手机。从现实角度来看，三星的 1TB 芯片虽然能够在明年发布，但安装到手机上势必会进一步提升手机的价格，因此在未来很长一段时间，其都很难普及到一般消费者身上。 |
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