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10nm 马上淘汰?三星规划芯片制程路线:2022 年要上3nm

 雷科技 2020-12-15

日前,三星电子在位于美国的 2018 年三星半导体代工论坛上,公布其全面的芯片制程技术路线图,目前已经更新至 3nm 工艺。

在路线图中,三星公布 7nm LPP(7nm Low Power Plus)、5nm LPE(5nm Low Power Early/Plus)、4nm LPE/LPP(4nm Low Power Early/Plus)和3nm GAAE/ GAAP(3nm Gate-All-Around Early/Plus)工艺技术的计划。其中 Low Power 指的是低功耗,Gate-All-Around 即 GAA,指全环栅技术。Early 为前期,Plus 为增强版。

据介绍,三星的 7nm LPP 将成为该公司首款使用EUV(极紫外光刻)方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为 LPE 和 LPP 两代,不过 7nm 算是个例外,没有 LPE。之前已公布,三星 7nm LPP 将于 2018 年下半年量产,2019 年的高通和三星芯片有望采用该制造工艺。

三星表示,在 7nm LPP 之后推出的 5nm LPE 将为 SoC 芯片提供更大的扩展面积和超低功耗优势。此外,FinFET 技术的使用将持续至 4nm 工艺。相比上一代 5nm,三星的 4nm LPE 和 LPP 可提供更小的尺寸、更高的性能和更快的速度。

不仅如此,三星还提及了其 3nm 工艺,预计于 2022 年量产。从 3nm 开始,三星将抛弃 FinFET 结构,转而采用下一代器件架构 GAA。为了克服 FinFET 结构在尺寸和性能方面的限制,三星正在开发基于 GAA 技术的 MBCFET(Multi Bridge Channel FET,多桥通道),预计 3nm GAAE 和 GAAP 的性能将更进一步提升。

与此同时,三星还强调了芯片关于人工智能(AI)和机器学习能力的发展。从最新的 7nm LPP 技术及其 EUV 方案超越了传统的封装方案,三星称其平台解决方案大大增加了芯片的计算能力,并加速了 AI 革命。

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END


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