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100vMOS 低开启电压 升级版方案

 惠海半导体 2020-12-25

MOS管HC160N10LS  HC510

参数：100V5A（5N10）

内阻：145mR（VGS=10V）

结电容：405pF

类型：沟槽型NMOS

开启电压：1.8V

封装：SOT23-3

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