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昨日晚间，高通官方宣布了下一代旗舰处理器的相关信息，下一代骁龙旗舰将命名为骁龙835，而不是之前传言的骁龙830，并且骁龙835将使用三星的10nm FinFET工艺，这也是第一款使用了10nm工艺的移动处理器。 高通表示，与上一代三星14nm FinFET工艺相比，三星今年最新的10nm工艺可以利用更小的晶体管面积减少高达30%的芯片尺寸，同时将性能提升27%或者是降功耗降低40%。 每一代处理器都能够带来更好的性能和功耗表现，但是这一次骁龙835还带来了更小的芯片尺寸，这也给寸土寸金的手机内部空间留出了更多余地，让手机厂商们在设计过程中更加自如。 高通称，目前骁龙835已经投入生产，搭载这款处理器的终端产品将在2017年年初面世，而这款产品是什么其实很好猜，一定是三星GALAXY S8，毕竟骁龙835这款处理器就是三星代工生产的。 但是在具体规格上，高通没有透露更多信息，只宣布了下一代快充技术QC4.0将随骁龙835一起登场，而QC4.0能够带来高达20%的充电速度提升和高达30%的效率提升。除此之外还将支持USB Type-C和USB-PD规格，这一改变或许将引领USB PD快充标准走向普及。 |
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