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来自: 阿明哥哥资料区 > 《36.电子电力.新能源.电池》
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私藏的晶体管的符号及电流走向分享,MOS场效应管 三极管 IGBT
私藏的晶体管的符号及电流走向分享,MOS场效应管 三极管 IGBT.
IGBT和BJT、MOSFET之间的联系
IGBT和BJT、MOSFET之间的联系。BJT出现在MOSFET之前,而MOSFET出现在IGBT之前,所以我们从中间者MOSFET的出现来阐述三者的因果关系。但是如果在MOSFET结构的基础上引入一个双极型BJT结构,就不仅能够保...
IGBT场效应管的工作原理以及极性判断、好坏判断方法
IGBT场效应管的工作原理以及极性判断、好坏判断方法一、前言。由图2可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样P...
绝缘栅双极晶体管(IGBT)
UCE<0时,IGBT为反向阻断工作状态3. IGBT的动态特性 IGBT的开关过程。tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程,iC下降较慢IGBT中双...
电子基础知识MOS管与IGBT管
IGBT内部的体二极管并非寄生的,而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的,又称为FWD(续流二极管),判断IGBT内部是否有体二极管也...
快收藏!电子元器件符号大全(二)
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小孙学变频之电力场效应晶体管【中自推荐124期】
张老师说:“原则上,只要能够承受足够大的电流,工作频率满足要求的都可以。在变频器里见得较多的,以功率场效应晶体管(电力 MOSFET)...
MOS管和IGBT管有什么区别?
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浅析IGBT模块损坏的原因!
IGBT在关断时,由于逆变电路中存在电感成分,关断瞬间产生尖峰电压,如果尖峰电压超过IGBT器件的最高峰值电压,将造成IGBT击穿损坏。由于吸收电路设计的吸收容量不够而造成IGBT损坏,对此可采用电压钳...
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