1.电路调试，二极管并联时,应该测试一颗二极管故障开路时, 产生的异常(包括TO-220 里的两颗二极管)。
小公司一般都不会做这个动作的，一款优秀的产品是要经得起任何考验的。
2.电路设计，如果PCB空间充裕，请设计成通杀所有安规标准。
如果你某一产品是符合UL60335标准，哪天客户希望满足UL1310，这时你又得改PCB Layout拿去安规报备了，如果你画的板符合各类标准，后面的工作会轻松很多。
3.电路设计，关于ESD请设计成接触±8KV/空气±15KV标准。
像飞利浦这样的客户都要求ESD非常严的，听说富士康的还需要达到±20KV，哪天有这种客户要求，你又得忙一段时间了。
4.电路设计，设计变压器时，VCC电压在轻载电压要大于IC的欠压关断电压值。
判断空载VCC电压需大于芯片关断电压的5V左右，同时确认满载时不能大于芯片过压保护值
5.电路设计，设计共用变压器需考虑到使用最大输出电压时的VCC电压，低温时VCC有稍微NOSIE会碰触OVP动作。
如果你的产品9V-15V是共用一个变压器，请确认VCC电压，和功率管耐压
6.电路调试，Rcs与Ccs值不能过大，否则会造成VDS超过最大耐压炸机。
LEB前沿消隐时间设短了，比尖峰脉冲的时间还短，那就没有效果了还是会误判；如果设长了，真正的过流来了起不到保护的作用。
Rcs与Ccs的RC值不可超过1NS的Delay，否则输出短路时，Vds会比满载时还高，超过MOSFET最大耐压就可能造成炸机。
经验值1nS的Delay约等于1K对100PF，也等于100R对102PF
7.画小板时，在小板引脚的90度拐角处增加一个圆形钻孔。
这样做可以使小板与PCB大板之间紧密贴合，不会有浮高现象
8.电路设计，肖特基的散热片可以接到输出正极线路，这样铁封的肖特基就不用绝缘垫和绝缘粒。
9.电路调试，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因为1N4007速度慢300uS，压降也大1.3V，老化过程中温度很高，容易失效造成炸机。
10.电路调试，输出滤波电容的耐压至少需符合1.2倍余量，避免量产有损坏现象。
之前是犯了这个很低级的错误，14.5V输出用16V耐压电容，量产有1%的电容失效不良。
11.电路设计，大电容或其它电容做成卧式时，底部如有跳线需放在负极电位，这样跳线可以不用穿套管。
12.整流桥堆、二极管或肖特基，晶元大小元件承认书或在BOM表要有描述，如67mil。
理由：管控供应商送货一致性，避免供应商偷工减料，影响产品效率
令人烦恼的就是供应商做手脚，导致一整批试产的产品过不了六级能效，原因就是肖特基内部晶元用小导致。
13.电路设计，Snubber 电容，因为有异音问题，优先使用Mylar电容 。
14.浸漆的TDK RF电感与未浸漆的鼓状差模电感，浸漆磁芯产生的噪音要小12dB。
15.变压器生产时真空浸漆，可以使其工作在较低的磁通密度，使用环氧树脂黑胶填充三个中柱上的缝隙。
16.电路设计，启动电阻如果使用在整流前时,要加串一颗几百K的电阻。
理由：电阻短路时,不会造成IC和MOSFET损坏。
17.电路设计，高压大电容并一颗103P瓷片电容位置。
空间允许的话PCB Layout留一个位置吧，方便EMI整改
18.在进行EMS项目测试时，需测试出产品的最大程序，直到产品损坏为止。
例如ESD 雷击等，一定要打到产品损坏为止，并做好相关记录，看产品余量有多少，做到心中有数
19.电路设计，异常测试时，短路开路某个元件如果还有输出电压则要进行LPS测试，过流点不能超过8A。
20.安规开壳样机，所有可选插件元件要装上供拍照用，L、N线和DC线与PCB要点白胶固定。
这个是经常犯的一个毛病，经常一股劲的把样品送到第三方机构，后面来来回回改来改去的
21.电路调试，冷机时PSR需1.15倍电流能开机，SSR需1.3倍电流能开机，避免老化后启动不良。
PSR现在很多芯片都可以实现“零恢复”OCP电流，比如ME8327N，具有“零恢复”OCP电流功能
22.电路设计，请注意使用的Y电容总容量,不能超过222P, 因为有漏电流的影响。
针对不同安规，漏电流要求也不一样，在设计时需特别留意
23.反激拓补结构，变压器B值需小于3500高斯，如果变压器饱和一切动作将会失控，如下，上图为正常，下图为饱和。
变压器的磁饱和一定要确认，重重之重，这是首条安全性能保障，包括过流点的磁饱和、开机瞬间的磁饱和、输出短路的磁饱和、高温下的磁饱和、高低压的磁饱和。
24.结构设计，散热片使用螺丝固定参考以下表格设计，实际应用中应增加0.5-1mm余量，参考如下表格：
BOM表上写的螺丝规格一定要对，不然量产时会让你难受
25.结构设计，AC PIN焊线材的需使用勾焊，如果不是则要点白胶固定。
26.传导整改，分段处理经验，如下图，这只是处理的一种方法，有些情况并不是能直接套用。
27.辐射整改，分段处理经验，如下图，适合一些新手工程师，提供一个参考的方向，有些情况并不是能直接套用，最主要的还是要搞清楚EMI产生的机理。
28.关于PCB碰到的问题，如图，为什么99SE画板覆铜填充的时候填不满这个位置？像是有死铜一样
D1这个元件有个文字描述的属性放在了顶层铜箔，如图
29.变压器铜箔屏蔽主要针对传导，线屏蔽主要针对辐射，当传导非常好的时候，有可能你的辐射会差，这个时候把变压器的铜箔屏蔽改成线屏蔽，尽量压低30M下降的位置，这样整改辐射会快很多。
30.测试辐射的时候，多带点不同品牌的MOS、肖特基。有的时候只差2、3dB的时候换一个不同品牌会有惊喜。
31.VCC上的整流二极管，这个对辐射影响也是很大的。
一个惨痛案例，一款过了EMI的产品，余量都有4dB以上，量产很多次了，其中有一次量产抽检EMI发现辐射超1dB左右，不良率有50%，经过层层排查、一个个元件对换。最终发现是VCC上的整流二极管引发的问题，更换之前的管子（留低样品），余量有4dB。对不良管子分析，发现管子内部供应商做了镜像处理。
方法：在PCB板上找一条光滑且长的线条，测量其长度L，再测宽度W，再用DC源加1A电流在其两端测得压降U
例：取一段PCB铜箔，长度L为40mm，宽度为10mm，其通过1A电流两端压降为0.005V，求该段铜箔厚度为多少um？
