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有机场效应晶体管 英文全称：organic fieldeffect tran-sisbor 简称：OFET 有机场效应晶体管组成 源极source+漏极drain+栅极gate+有机半导体层+栅绝缘层 所以重点在有机半导体上，而我们日常使用的都是有机半导体，这个概念有机场效应管基本上就是我们常说的场效应管。 无机场效应管很少见。 有机场效应晶体管分类 底栅页接触式+底栅底接触式+顶栅顶接触式+项栅底接触式 如下图所示
工作原理 在底栅底接触中，载流子直接从电极边缘注入导电沟道中； 在底栅顶接触中，有机半导体把源漏电极和导电沟道隔开，从电极向导电沟道注入的载流子穿过有机半导体层才能到达导电沟道中， 因增加接触电阻而导致载流子注入效率降低， 但此结构的电子元器件因电极与有机半导体接触面积大，在有机半导体层很薄时，接触电阻变得很小： 因项接触是有机半导体材料直接沉积在绝缘层上，膜质量优质，电子元器件性能比底接触好。 有机场效应晶体管结构 它像电容器 源极，漏极，有机半导体薄膜的导电沟道可看作一个极板，栅极可作一个极板； 栅源间间从VGS负电压，绝缘层附近半导体层中感应出带正电的空穴，栅极处会积祟带负电电子； 可通过调节绝缘层中电场强度即可调节源漏间电流； 因：源漏间加负电压VDS，即源漏间产生电流IDS，调节VGS与Vns可调节绝缘层中电场强度； 随电场强度不同，感应电荷密度也不同，源漏间导电通道宽窄也不同，源漏间电流也会改变。 |
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