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一、电阻法 用万用表置于R×10或R×100档，测S-D间电阻: 电阻值 > 正常电阻值（一般几十欧到几千欧范围），可能内部接触不良; 测得电阻值无穷大：可能内部断极； 用万用表置于R×10k档，测栅极G1-G2间，栅极-源极，栅极-漏极它们间电阻值： 此电阻值均为无穷大，则MOS管正常； 此电阻值小或通路，则MOS管已坏；
二、指针万用便感应信号输入法： 万用表电阻的R×100档，红笔接S，黑笔接D，在MOS管上加1.5V电源电源， 表针指示出漏源极间电阻值，用手捏住MOS管G，将人体的感应电压信号加到栅极上， MOS管放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，此时表针摆动， 手捏栅极时： 表针摆动较小，放大能力较差； 表针摆动较大，放大能力较强； 表针不动，测MOS管已坏； 三、测电阻法： 万用表拨在R×1k档上，选两个电极，测其正、反向电阻值，此电极的正、反向电阻值相等且为几千欧姆时，则电极为漏极D和源极S，因漏极和源极可互换，第三端为栅极G。 四、测反向电阻值变化判断跨导大小: 如：VMOS管N沟道增强型场效应管的跨导性能，用红笔接源极S，黑笔漏极D，相当于在源、漏极之间加了一个反向电压，栅极开路，MOS管反向电阻值不稳，万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，表内电压较高，手接触栅极G，MOS管反向电阻值有变化， 变化越大：跨导值越大; 变化不大：跨导很小； 五、测电阻法测无标志场效应管MOS管: 先测MOS管源极S和漏极D，其它两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。 用两笔测的源极S与漏极D间的电阻值并记来，对调表笔再测量一次，记下电阻值， 两次中测得阻值最大，黑笔接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。 用放大能力验证: 放大能力大黑笔所接D极，红笔接S极，按D、S的对应位置装入电路，G1、G2依次对准位置，并确定D、S、G1、G2管引脚顺序。
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