中国电工技术学会活动专区
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图1 试验装置实物 以上研究成果发表在2020年第24期《电工技术学报》,论文标题为“不同老化试验方法下SiC MOSFET失效机理分析”,作者为陈杰、邓二平、赵子轩、吴宇轩、黄永章。 |
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