关于晶体管ON时的逆向电流
关于封装功率容许功 通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:PC(max)。 (假设1W晶体管的情况下,输入条件为VCB=10V IE=100mA)
因此,根据由输入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的结温。 fT:增益带宽积、截止频率所谓极限,即基极电流对集电极电流的比为1(即hFE=1)的情况。 这时,hFE为1时的频率叫做fT(增益带宽积)。 fT指在该频率下能够工作的极限值。 但是,实际使用时能够动作的只有fT值的1/5 to 1/10左右。 f:根据测定装置而定。为测定的标准频率。 VCE:任意设定。我公司为一般值。 IC:任意设定。我公司为一般值。 |
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