大电流场效应管型号参数

大电流场效应管型号

场效应管简介

在了解大电流场效应管型号之前，我们来了解一下场效应管知识，它主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

大电流场效应管的作用

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

大电流场效应管应用

1、交流/直流电源的同步整流

2、直流电机驱动

3、逆变器

4、电池充电器和电池保护电路

5、36V-96V系统中的马达控制

6、隔离的直流-直流转换器

7、不间断电源

大电流场效应管型号

大电流场效应管扩展知识

由于功率MOSFET热稳定性好，故比双极型晶体管并联连接简单。可是并联连接MOSFET用于高速开关则末必简单，从现象看并联连接会发生以下两个问题：

1） 电流会集中某一个器件中。

2 ） 寄生振荡。

并联连接方面的问题

参数

Lo：栅、导线电感

LD：漏、导线电感

LS：源、导线电感

Cmi：密勒电容

CGS：栅、源间电源

ra：栅、电阻（多晶硅）

（1）电流会集到某一个器件中

这是由于并联连接的器件中的某一个器件早于或迟于其它器件导通或断开而引起的。导通、断开的时刻差异是由于器件间的阈值电压和正向传输导纳等参数的差别而引起。图1表明把具有不同VGS（th）和 g.f .s 的功率MOSFET并联衔接时发生电流不平衡的一个比如。

驱动级的输出阻抗大的时候，电流不平衡的发生时刻由功率MOSFET的输入电容Ciss而决议。另外，并联连接的全部器件导通之后，流到各器件的电流与Rds（on）成反比 。

( 2 ） 寄生振荡

如把功率MOSFET的栅极直接并联衔接，就常常发生寄生振荡。如图2所示，经过各个器件的漏、栅间电容（ 密勒电容 ）和栅极引线电感构成谐振电路 。关于这个谐振电路的Q，也即电抗器 （ L 、C ） 对电阻之比 （Q = i∞/ R ） 非常大，简单发生寄生振荡。

从以下两个方面采取办法 ：

1)器材的挑选

2)装置上的考虑

并联连接及办法

( 1） 把功率MOSFET用作开关器件时，无须过于慎重考虑，由于功率MOSFET的最大脉冲电流允许为直流额定值的 3-4倍，只需极力缩小驱动级的输出阻抗就行．把功率MOSFET用在线性电路时，只挑选同一批产品是不行的 ，与双极型晶体管一样外加源电阻使之平衡是很有必要的．

( 2 ）装置办法

选用低电感布线是当然的，但在并联连接中仅用铜板是不行的 ，由于因公共阻扰发生的 电压使栅、源间电压不能平衡，为了防止这点，并联连接的各个器件应是彻底持平的布线，应如图3那样用对称的布线 ，但因装置上的约束，不行能用对称布钱时，这时同轴的（多股绞合线、带状线 ） 布线也是很有用的。如图4那样，经过薄的绝缘膜把铜板制成的漏和源的布线。
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