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汉能在铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓(GaAs)

 桃花岛东里 2021-06-01

汉能在铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓(GaAs)的多条技术路线上保持、刷新了多项世界转换效率纪录;其中,汉能铜铟镓硒Solibro玻璃基组件有效面积转换效率达到18.72%,为铜铟镓硒量产组件世界纪录;铜铟镓硒MiaSole柔性电池研发效率达到19.4%,为柔性铜铟镓硒溅射法世界纪录;铜铟镓硒GSE柔性电池研发效率达到19.3%,为柔性铜铟镓硒共蒸发法世界纪录;砷化镓双结电池研发效率达到31.6%、单结电池研发效率达到29.1%、单结组件效率达到25.1%,分别为砷化镓单结电池、单结组件的世界转换效率纪录。此外,高效硅异质结(SHJ)电池研发效率亦于年内再创新高,达到24.23%,并获得日本JET认证。

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