【原】甘谷籍著名科学家彭应全。

彭应全（1962-）甘谷县磐安镇西街村人，兰州大学教授，博士生导师，甘肃省科技领军人才，2014聘为浙江省钱江学者特聘教授。

主要从事微电子学与固体电子学（方向：光电子器件与材料）方面的研究及相关教学工作。

主要经历和成就：

   1985年6月毕业于兰州大学物理系，同年被推荐为半导体物理专业免试研究生。1985年8月通过教育部组织的全国丁肇中项目出国研究生考试，于次年去德国柏林洪堡大学攻读博士学位，同时系统学习电子学专业课程。1992年3月获洪堡大学电子学硕士学位（Dipl. Ing.），1992年7月获得洪堡大学理学博士学位，在德国期间，曾以访问学者的身份去位于瑞士的欧洲核子研究中心（CERN）进行了为期一年的合作研究工作。1992年9月回国后，在兰州大学物理系工作，起初从事计算机自动测量与控制方面的应用研究，获核心技术发明专利---《计算机自动测量实验仪和实验方法》；1999年以来主要从事微电子学与固体电子学（方向：有机电子器件与材料）研究工作，主持国家自然科学基金一项，省自然科学基金两项，横向项目多项，获发明专利五项，著有学术论文50余篇，其中大部分被SCI和EI收录。2010-2011年在德国Kassel大学从事有机激光器方面的访问研究。参加国家自然科学基金项目多项，主持过国家自然科学基金项目、回国人员留学基金和教育部博士点基金；主持科技部中国-斯洛伐克政府间合作项目和中国-俄罗斯政府间合作项目各一项；主持甘肃省自然科学基金多项。主持应用类项目多项。主持完成的《有机电致发光器件物理及相关材料的研究》获得2002－2003年度甘肃省高校科技进步三等奖。先后在Organic Electronics, Applied Physics Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Photonic Technology Letters, Semiconductor Science and Technology, Applied Surface Science, Applied Physics A 等国际国内权威学术期刊上发表论文60余篇。获得《一种有机半导体器件特性测量仪》、《一种肖特基接触光敏有机场效应管》等发明和实用新型专利多项。目前的研究项目主要集中在光敏场效应管、有机太阳能电池、有机红外光探测器、有机激光器以及有机半导体器件分析软件等方面。

彭应全教授在斯洛伐克

研究方向

编辑

一有机半导体电子器件物理特性研究

二OLED分析软件开发

三有机太阳能电池、光电探测器研究

四功能有机场效应管研究

五有机半导体材料研究

六基于PC的自动测量与控制设备开发

七有机激光器的研究

研究工作已经完成的项目或课题

(1)8-羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性研究

(2)基于酞菁铜的有机电流开关器件研制

(3)有机电致发光器件复合区与发光效率研究

(4)单层结构有机太阳能电池模型研究

(5)体异质结有机太阳能电池模型研究

(6)双层有机半导体薄膜器件中有机异质界面限制电流传导研究

(7)有机异质界面电流传输限制电流传导研究

(8)有机半导体材料Alq3、LiBq4、Cdq2、Znq2、Ndq2和Euq2的合成与提纯；

(9)无机/有机异质界面Alq3╱ITO、TPD╱Alq3、PTCDA╱Si、结构与电子状态研究；

(10)有机电致发光器件的薄层掺杂研究；

(11)单层有机电致发光器件电流传输特性的数值分析；

(12)聚合物PVK与透明导电膜ITO界面结构与电子状态研究；

(13)双层有机电致发光器件结构的计算机模拟与优化设计；

(14)有机电致发光器件中空间电荷的分布与载流子输运研究；

(15)稀土有机半导体材料八羟基喹啉铕和八羟基喹啉钕的合成与提纯；

(16)金属╱有机界面热电子发射机制研究；

(17)空穴注入层优化研究；

(18)纯净、物理掺杂和化学掺杂的有机半导体薄膜中的爱因斯坦关系的研究；

(19)有机半导体薄膜器件注入限制传导与体限制传导的判据研究；

(20)基于八羟基喹啉配合物的开关器件研究。

正在进行和拟进行的项目或课题：

（1）层叠结构有机场效应管研制

（2）基于Ndq3的有机太阳能电池与光电探测器研究

（3）有机光敏场效应管研究

（4）有机磁敏场效应管研究

（5）OLED数值分析与模拟软件开发

（6）有机太阳能电池数值分析与结构优化研究

（7）有机光电探测器数值分析与结构优化研究

（8）特殊功能有机半导体材料合成

（9）温室自动侍服系统研制

（10）有机双稳态器件研制

（11）基于PC的自动测量与控制设备开发

（12）有机激光器的研究

    完成重大科研成果： (1) 提出了纯净和掺杂情况下有机半导体薄膜中的扩展的爱因斯坦关系； (2) 提出了区别单层有机半导体薄膜器件注入限制传导与体限制传导的判据； (3) 建立了包含扩展和陷阱效应的单层有机电致发光器件电流电压特性以及电场和载流子浓度分布的数值模型； (4) 建立了双层有机电致发光器件电流电压特性以及电场和载流子浓度分布的数值模型； (5) 在国际上首次发现了喹啉配合物单层器件的双稳态特性； 发明专利 （1）计算机自动测量实验仪和实验方法 （2）一种基于肖特基接触IV分析的有机薄膜迁移率测量方法 （3）傅里叶分解与合成实验仪 （4）一种有机半导体器件特性测量仪 （5）一种梳状源极层叠结构有机场效应管