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GaAs PA和CMOS PA比較表
GaAs PA
CMOS PA
優點
可支援高頻率和高功率產品
成本較低
可縮小晶片尺寸
缺點
成本較高
支援功耗低
電路特性差
無法使用在超過20GHz的頻段設計
主要應用領域
無線網路設備、手機
藍芽、ZigBee
製造廠商
RFMD、Skyworks、Avago
Javelin Semiconductor
註:功率放大器市場仍以GaAs PA為主流。
砷化鎵半導體各製程技術比較表
MESFET金屬半導體場效電晶體
pHEMT假性高速電子移動電晶體
HBT異質接面雙極電晶體
晶圓成長方式
None
MBE/MOCVD
元件尺寸
大
中
小
結構
水平
垂直
頻率範圍
<18GHz
<100GHz
功率密度
低
高
負閘極電流
需要
不需要
線寬
0.15~0.5
1.0~2.0
製造成本
註:HBT為功率放大器生產主流技術。
来自: 新用户1970fAd7 > 《PA相關》
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