逆变电源缓冲电路与隔直电容的参数计算 电容的方法来隔3直纠偏,隔直电容的参数可采用 Ts—开关周期; 如下计算方法[ ] 。 Vs—电源电压。 效电感与一次侧电感之和(单位:μH) ; 2918μFfR—LR与C组成的串联谐振电路的谐振频率 隔直电容C实际选用耐压630 V,容量为40(单位:kHz) 。 μF的电容(由两只20μF的电容并联而成) ,即可为了使耦合电容线性,一般选fR =0. 1f。因 满足要求。 算得C=20. 3μF。 (1)由RC组成的缓冲电路能够抑制过电压、此外,电容充电电压不宜过大,一般以5% 减小开关损耗、限制电压上升率以及消除电磁干10%Vs为好,即需满足如下不等式: 扰。 VC =式中VC—充电电压; (3)隔直电容C选用耐压630V,容量为40IC—充电电流; μF的电容,能可靠地抑制偏磁,提高变压器抗不Δt—充电时间, 平衡的能力。 D—IGBT导通占空比; 参考文献 [ 1 ]赵家瑞逆变焊接与切割电源[M]北京:机械工业出版社, 1995 [2]黄石生新型弧焊电源及其智能控制[M]北京:机械工业出版社,2000 [3]熊腊森,刘长友,刘松逆变式电弧喷涂电源的研究[J]电焊机,2001 (6) : 1112 Parameter Calculation of Buffer Circuits and Capacitance for Inverter CHEN Chang2jiang1 ,JIANG You2qing2 (1.Wuhan Institute of Shipbuilding Technology,Wuhan 430050, China; 2. Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074, China) Abstract: Thispaperpresents a parameter calculationmethod of the buffer circuits and capacitanceby an example of parameter calculation of buffer circuits and capacitance for IGBT inverter based onfull bridge for SMAW. Key words: SMAW inverter; IGB T;buffer circuit; capacitance1 (责任编辑:谭银元) 10
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