近期，从山西省科技厅获悉，围绕先进制造业、碳达峰碳中和、数字经济、有机旱作农业和现代农业以及未来产业等领域，2021年度山西省科技重大专项计划“揭榜挂帅”项目正式发布，面向国内外广泛征集优势科研团队挂帅揭榜攻关。本次张榜的项目共有29个，分为企业重大技术攻关、重大基础前沿与民生公益两类。
重大基础前沿与民生公益类项目有7个，包括：集成电路用高纯度半导体碳纳米管制备关键技术研发、大规模离子阱量子计算的关键技术研究、基于量子光源的激光干涉引力波探测器原型机关键技术研究、有机旱作农业技术体系构建与示范应用等。
重大技术攻关类项目有22个，包括大尺寸4H-SiC单晶衬底材料制备产业化技术研发、8英寸碳化硅单晶生长设备研发、柔性OLED照明核心材料及其面板制备关键技术、低（不含）重稀土高性能钕（铈、镧）铁硼磁体开发与产业化、基于高可靠性服役条件的大直径复杂结构机车轮关键技术研究等。
集成电路用高纯度半导体碳纳米管制备关键技术研发项目
研究内容：
考核指标：
研究出1-2种高纯度单壁半导体碳纳米管材料的大规模制备方法，对单壁半导体碳纳米管的手性实现一定的调控，并实现纯度>99.99%的半导体碳纳米管的稳定可控制备。
实现大面积（8寸圆片或200mm×200mm方片）均匀密度可控的碳纳米管网络薄膜的稳定制备，片上和片间密度均匀性涨落<15%。
研究出碳纳米管阵列薄膜的制备方法，实现大面积（4寸圆片）碳纳米管阵列薄膜的稳定可控制备。
研究出碳纳米管薄膜晶体管的半导体制造工艺，器件迁移率>100cm2/Vs，阈值电压均一性ΔVth<0.5V，界面态密度<5×1012/(cm2⋅eV)，开态电流涨落<20%,阈值电压漂移<2V(1小时)。
实现利用原子芯片上光晶格中的超冷原子气体进行高灵敏度微弱力测量，探测灵敏度优于10-24N/(Hz)1/2，实现对碳纳米管的精准二维成像。
大尺寸4H-SiC单晶衬底材料制备产业化技术研发
研究内容：
开展大尺寸4H-SiC单晶生长的热力学和动力学特性研究、晶体生长过程中杂质、多晶型和缺陷控制技术研究，突破有限元仿真双线圈高梯度坩埚热场结构设计、微管、位错、碳包体等缺陷抑制；开展4H-SiC单晶生长一致性、稳定性、低表面损伤单晶衬底规模化制备技术研发；研究高效、低损耗的加工技术和大尺寸 4H-SiC 单晶衬底表面粗糙度控制技术；推进大尺寸、低成本碳化硅单晶衬底材料产业化。
研究目标：
