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今天写的不顺畅，一个AD写了八个小时，然后一个温度传感器又卡了四个小时，哎，没人能一马平川，特别是搞技术，我们的目的不是走马观花式的学习，而是真正了解寄存器的操作，不要怕时间不够，就怕时间花了还吃不透，反而透露着阿Q精神安慰自己，我们不要这样。
来来来，直接进入比较器的学习。
可以提供两个外部模拟输入，一个DAC内部基准；输出可以异步传输，也可以通过限定单元与系统时钟周期同步，进行简单滤波；输出被传送到ePWM触发区（Trip Zone）模块和GPIO输出多路复用器。
比较器大家应该是不陌生的，两路输入，当正极输入大于负极时，输出高电平；反之输出低电平，下面是真值表
每个比较器模块都包含一个10位的DAC电压基准。电压输出大小由DACVAL寄存器或者斜坡发生器控制，这个由第一个比较器的图解大家就可以了解到。
当DACVAL寄存器选择为DAC的输入时，输出大小为
现在来说下斜坡发生器这个，稍微复杂一点
在这种模式下，是把RAMPSTS寄存器的前十位当做DAC的输入
上面看了斜坡发生器的结构图，下面就是它的控制型号
现在来说比较器的操作了：
操作大概步骤如下：
1、使能ADC内的帶隙：ADCTRL1.ADCBGPWD=1；
2、使能比较器模块：COMPCTL.RAMPMAXREF=1；
3、使能COMP时钟：PCLKR3.COMPxENCLK=1；
4、GPIO和AIO引脚复用设置；
5、若用DAC，使能VSSA：ADCTRL1.VREFLOCONV，设置DACVAL.DACVAL，COMP控制寄存器COMPCTL设置：使能、反向输入源、输出取反、同步等
现在来看下具体的寄存器，只有几个，我们耐心看下吧:
首先是控制寄存器
然后是状态寄存器
DAC控制寄存器
DACVAL寄存器
斜坡发生器相关寄存器
好了，理论知识讲完了，现在来开始写程序，步骤已经说了，再复述一遍：
1、使能ADC内的帶隙：ADCTRL1.ADCBGPWD=1；
2、使能比较器模块：COMPCTL.COMPDACEN=1；
3、使能COMP时钟：PCLKR3.COMPxENCLK=1；
4、GPIO和AIO引脚复用设置；
5、若用DAC，使能VSSA：ADCTRL1.VREFLOCONV，设置DACVAL.DACVAL，COMP控制寄存器COMPCTL设置：使能、反向输入源、输出取反、同步等
直接写程序了
InitComp1Gpio();
EALLOW;
SysCtrlRegs.PCLKCR3.bit.COMP1ENCLK=1;
SysCtrlRegs.PCLKCR0.bit.ADCENCLK = 1;
AdcRegs.ADCCTL1.bit.ADCPWDN = 1;
AdcRegs.ADCCTL1.bit.ADCBGPWD = 1;
Comp1Regs.COMPCTL.bit.COMPDACEN=1;
Comp1Regs.COMPCTL.bit.QUALSEL = 0;
Comp1Regs.COMPCTL.bit.SYNCSEL = 0;
Comp1Regs.COMPCTL.bit.COMPSOURCE = 1;
EDIS;
while(1);
终于写完了，好困，准备洗洗睡了，明天见
早上我用PROTEUS仿真了昨晚的程序，死活不行，妹的，然后直接下载到我的实验板里面，把COMP1OUT直接连到一个LED上面，发现程序是正常的，哎，又被仿真软件搞了一个小时，上面的程序是对的，大家可以使用，不过我那是两路都是模拟输入。
我刚刚又去写了下DAC控制的模拟输入方式，也很简单，直接给大家程序吧，效果图跟上面是一样的
InitComp1Gpio();
EALLOW;
SysCtrlRegs.PCLKCR3.bit.COMP1ENCLK=1;
SysCtrlRegs.PCLKCR0.bit.ADCENCLK = 1;
AdcRegs.ADCCTL1.bit.ADCPWDN = 1;
AdcRegs.ADCCTL1.bit.ADCBGPWD = 1;
AdcRegs.ADCCTL1.bit.VREFLOCONV=1;
Comp1Regs.COMPCTL.bit.COMPDACEN=1;
Comp1Regs.COMPCTL.bit.QUALSEL = 0;
Comp1Regs.COMPCTL.bit.SYNCSEL = 0;
Comp1Regs.COMPCTL.bit.COMPSOURCE = 0;
Comp1Regs.DACVAL.bit.DACVAL=500;
EDIS;
while(1);
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