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文章转载自公众号：硬件笔记本 这里其实有两个问题： 1.单片机为什么不直接驱动负载？ 2.单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管？  图1 答： 1.单片机的IO口，有一定的带负载能力。但电流很小，驱动能力有限，一般在10-20mA以内。所以一般不采用单片机直接驱动负载这种方式。 2.至于单片机为什么一般选用三极管而不是MOS管？需要了解三极管和MOS管的区别，如下： ①三极管是电流控制型，三极管基极驱动电压只要高于Ube（一般是0.7V）就能导通。 ②MOS管是电压控制型，驱动电压必须高于阈值电压Vgs（TH）才能正常导通，不同MOS管的阈值电压是不一样的，一般为3-5V左右，饱和驱动电压可在6-8V。 我们再来看实际应用： 处理器一般讲究低功耗，供电电压也越来越低，一般单片机供电为3.3V，所以它的I/O最高电压也就是3.3V。 ①直接驱动三极管 3.3V电压肯定是大于Ube的，所以直接在基极串联一个合适的电阻，让三极管工作在饱和区就可以了。Ib=（VO-0.7V）/R2。  图2 驱动三极管示意图 ②驱动MOS管 通过前面也了解到，MOS管的饱和电压>3.3V，如果用3.3V来驱动的话，很可能MOS管根本就打不开，或者处于半导通状态。 在半导通状态下，管子的内阻很大，驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就不行了，内阻大，管子的功耗大，MOS管很容易就烧坏了。 所以，一般选择I/O口直接控制三极管，然后再控制MOS管。  图3 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管 当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不工作。 当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极提供合适的阈值电压，MOS管导通，负载RL正常工作。 为什么要这样操作呢？一定要用三极管来驱动MOS管吗？ 那是因为三极管带负载的能力没有MOS管强，当负载电流有要求时，必须要用MOS管来驱动。 图3 I/O口驱动三极管后再驱动MOS管 当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不工作。 当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极提供合适的阈值电压，MOS管导通，负载RL正常工作。 为什么要这样操作呢？一定要用三极管来驱动MOS管吗？ 那是因为三极管带负载的能力没有MOS管强，当负载电流有要求时，必须要用MOS管来驱动。 |
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