6000元中高端配置清单推荐 CPU-酷睿 i5-12400f  i5-12400F只有6个大核心，12线程，二级缓存7.5MB，三级缓存18MB，主频最高4.4GHz，撞到温度墙后会降至3.4GHz。 热设计功耗为65W，实测主板会自动设置117W的最高限制，可能就对应PL2/MTP(最大加速功耗)。  频率方面，CPU-Z识别出来倍频是8-44，也就是说最大睿频能到4.4GHz，非K处理器的PL2并不等于PL1，酷睿i5-12400F的PL2是117W，PL1是65W，Tau 56秒，在PL2时全核频率能到4.0GHz，时间到降到PL1后频率下降到3.4GHz。  CPU-Z的测试里面酷睿i5-12400F的单线程性能已经超过了上代旗舰酷睿i9-11900K，但与酷睿i5-12600K差距非常大，多线程性能和对手的锐龙5 5600X接近，比上代的酷睿i5-11600K要高一些。  R23测试里面单线程性能依然强于酷睿i9-11900K，多线程性能强于酷睿i5-11600K和锐龙5 5600X，少了4个E-Core再加上功耗限制，性能和酷睿i5-12600K还是差蛮远的。  上表是16个生产力软件的综合表现，酷睿i5-12400F的表现略强于酷睿i5-11600K，稍微落后于对手的锐龙5 5600X。 主板-技嘉B660M 在第一批“先锋部队”登陆2个多月之后，12代酷睿的“主力部队”终于来了，常规版本的12代酷睿处理器悉数推出，同时也迎来了面向主流用户的Intel B660主板芯片组，那么随着性能部分正式解禁B660主板依旧是支持内存超频和XMP配置超频功能，用户可以通过提升内存频率获得额外的性能提升。 参数 12+1+1数字供电设计、高效散热设计、配备USB 3.2 Gen 2x2 Type-C高速接口、搭载Intel 2.5G千兆网卡以及支持WIFI-6的无线网卡。 主板尺寸为标准的mATX规格，主板VRM部分、主M.2硬盘位、南桥均覆盖银白色金属散热马甲，这也是技嘉雪雕主板的主打特色，视觉上带来更为清新的感受。 VRM散热马甲为一体成型设计，上面印有线条化的雕牌Logo，技嘉在散热马甲上还采用了增大散热面积的条纹凹槽设计，配合高系数的导热垫，能够为VRM供电模块提供更好的散热效能，保障电流稳定输出。 CPU外置供电为4Pin+8Pin，满足12代酷睿处理器的功率输出要求。Socket LGA-1700插槽，带有防护挡板，防止针脚受到碰撞损坏。四条DDR4内存插槽，右边可以看到配备专属的内存供电和控制模块，能够为内存输出更强劲的电流，提升内存超频稳定性。 四条DDR4内存插槽，右边可以看到配备专属的内存供电和控制模块，能够为内存输出更强劲的电流，提升内存超频稳定性。 主板配备两个M.2硬盘接口，均为为PCIe 4.0 x4速率，主M.2硬盘位为直连CPU，副M.2硬盘为连接芯片组。 主PCIe x16插槽为PCIe 4.0 x16速率，配备了金属防护装甲以提升其耐用性。 内存-威刚8Gx2 频率高达3200MHz的DDR4内存：威刚 XPG DDR4-3200，属于16G套装配置，单条8GB。金黄色金属散热片的加持、超高频率的设定，很黄很暴力。 威刚 XPG属于游戏威龙系列，目前在售有2400MHz、2800MHz主流频率及3200MHz发烧级频率，其中红色、白色及黄色三种颜色的散热片，其中3200MHz也就是今天测试的属于黄色版本。单条8G，共16G套装，1.35V工作电压，时序为16-16-16-36-2T。 一改上一代红色威龙古板的长方形内存条所设计，威刚 XPG DDR4-3200的外观显得霸气多了。陡升的线条带来了刚硬的感觉，切割的处理细节满满，也增强了散热效果。中间碳纤维纹理的设计加上品牌与产品线的标注，显得十分醒目。最后以黄色的外观收尾，那种既视感隐含着发烧级频率的定位。总的来说，这一代内存的颜值做到了极致 显卡-微星RX6600 随着显示器的屏幕越来越平价，2K和4K的显示器也进入了绝大多数玩家装备栏，而仍有不少玩家仍然选择1080P显示器，因为除了分辨率之外，刷新率也成为了玩家诉求之一。现在主流的游戏屏幕1080P已经逐渐步入高刷新率时代， 超频对显卡游戏性能的影响在各个游戏之间也区别很大，有的游戏基本跟着3DMark的比例提升，有的游戏就跟刮痧一样，提升了但没完全提升。 硬盘-三星pm9a1 512G PM9A1采用标准的NVMe协议M.2的接口，单面PCB板设计。采用Elpis新主控+第六代V-NAND新闪存 向下兼容PCIE-3.0标准。 三星针对PCIE4.0协议设计的全新Elpis主控。Elpis源于希腊语，中文读音“厄尔庇斯”，中文直译则是“（希望）女神”，从主控的命名中，可以感受到三星品牌存储对于这款980PRO PCIE4.0 SSD寄予的厚望和期待。技术层面，Elpis主控采用三星自研的全新8nm制程工艺，全面支持PCIE4.0协议，同时能够满足下一代开发、计算等需求，新的Elpis主控支持128队列并行工作，支持128个I/O队列同步进行数据处理。 颗粒方面，三星推出了全新的第六代V-NAND闪存颗粒，根据官方介绍，第六代V-NAND颗粒在制程工艺上，充分利用三星独创的“通道孔蚀刻”技术，通过建立一个由100多个层组成的导电晶片堆栈，然后从上到下垂直穿孔，形成均匀的三维电荷阱闪存（CTF）单元，从而实现了，在9x层单堆栈结构基础上增加了大约40%的存储单元。与上一代产品相比，性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。 电源-鑫谷全模750稳定性能：几乎没有声音散热效果，还不错外形外观，大厂出品，额定650w 铜牌 机箱-鑫谷小艺术家 |
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