【原】三星发话：我要造512GB的单条DDR5内存

面向数据中心市场

HOTCHIPS33线上大会正在火热进行中，这是什么大会？HotChips全称为A Symposium on High Performance Chips，每年8月份举行。不同于其他会议以学术研究前沿为主，HotChips是一场产业界的盛会，以各大处理器设计公司的最新产品或在研产品为主。IBM、Intel、AMD、ARM等都是HotChip会议的常客。HotChips能够让从业者了解产业发展趋势。

会上，三星表示正在开发具有8堆栈TSV模块的DDR5内存模块，是DDR4内存容量的两倍，这意味着理论上可以达到512GB的单条内存。

通过优化封装，三星计划推出厚度低于 DDR4 4 堆栈内存的 8 堆栈封装。由于管芯之间的间隙更小（减少 40%）以及通过实施薄晶圆处理技术，厚度的降低成为可能。重要的是，8 层 TSV 模块将提供更好的冷却能力。

一个8堆栈DDR5模块将使得每个模块的容量高达512GB。与DDR4内存相比这是一个巨大提升，DDR4内存最多提供到64GB的单条容量，而在服务器市场则最大256GB的容量。

三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 高达 85% 的性能提升，高达 7.2 Gbps 的带宽，以及高达 512GB 的双倍容量。同时，新模块将具有 1.1V 的更低电压，这与模块电压调节相结合将提高电源效率。计划中的 512GB RDIMM/LRDIMM 模块当然是针对数据中心市场的。消费级大概不会这么快就有超过64GB的单条产品。

在三星的前瞻中，到2023年/24年，主流市场才会普及DDR5内存，而在数据中心市场会更快开始迭代，这也就是为什么三星已开始计划在今年年底前生产512GB DDR5-7200内存的原因。