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吹牛第一名
三星代工的产品大家有目共睹，本代的RTX 30就是老黄找三星代工的，初期爆发的高功耗、炸电源的问题，相较于找台积电代工时的产品周期早期，乱七八糟小毛病多得多。在玩家中，大家也基本认为，三星最新制程=台积电上一代=英特尔再上一代（如三星5nm=台积电7nm=英特尔10nm）。基于这一点，英特尔也在此前也直接摆烂，搬出一套自己的制程命名。
从韩国媒体的报道来看，三星电子3nm制程工艺计划在明年6月份开始量产，是三星电子方面的一名高管，当地时间周三在以在线方式举行的三星代工论坛上透露的。三星电子的3nm工艺，并未继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，而是采用全环绕栅极晶体管（GAA）技术。三星方面表示，采用这一工艺代工的芯片，性能较5nm将提升50%，能耗降低50%。三星电子方面对3nm工艺寄予厚望，多年前就已开始研发事宜。在今年6月底，有外媒在报道中表示，三星电子的3nm工艺已成功流片，距离量产又更近了一步。三星表示，计划从2022年上半年开始生产客户设计的3nm芯片，第二代3nm芯片预计将在2023年生产。目前在推进3nm工艺的另一家，是当前全球最大的芯片代工商台积电，在近几个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO魏哲家均透露他们的这一工艺在按计划推进，计划今年下半年风险试产，明年大规模量产。而在近日举办的晶圆代工论坛活动上，三星电子宣布，将从2025年开始量产2nm芯片。
报道称，三星电子的2nm制程量产计划比台积电和英特尔晚了1年左右。但是，台积电和英特尔计划在2nm制程中首次引入GAA，因此三星电子在技术稳定性和良品率方面具有优势。
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