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1. HJT:以N型单晶硅(C-Si)为衬底光吸收区，经过制绒清洗后，其正面依次沉积厚度为5- 10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H)和掺杂的P型非晶硅(P-a-Si:H)，和硅衬底形成p-n异质结。硅片的背面又通过沉积厚度为5- 10nm的i a-Si:H和掺杂的N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背表面场，双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属基电极，即为异质结电池的典型结构。 2. HJT电池描述： 异质结HJT ( Hereto- junction with Intrinsic Thin-layer )电池，以N型单晶硅(C-Si)为衬底光吸收区，经过制绒清洗后，其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H)和掺杂的P型非晶硅(P- -a-Si:H),和硅衬底形成p-n异质结。 硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i- a- Si:H和掺杂的N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背表面场，双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TCO)不仅可以减少收集电流时的串联电阻，还能起到像晶硅电池上氮化硅层那样的减反作用。最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属基电极，即为异质结电池的典型结构。
HJT电池:隆基股份
数据来源:国家知识产权局 (注:隆基股份《一种太阳能电池及其制备方法》 申请时间为2022.01 ) |
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