MOS管参数在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。 MOSFET是电压型驱动器材,驱动的进程即是栅极电压的建立进程,这是经过对栅源及栅漏之间的电容充电来完成的,下面将有此方面的详细论述. gfs:跨导.是指漏极输出电流的改变量与栅源电压改变量之比,是栅源电压对漏极电流操控才能巨细的测量. gfs 与 VGS 的转移联系图如下图所示. 1、最大额定参数 3、VGS 最大栅源电压 4、ID - 连续漏电流 5、IDM - 脉冲漏极电流 考虑到热效应对于IDM的限制,温度的升高依赖于脉冲宽度,脉冲间的时间间隔,散热状况,RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。单纯满足脉冲电流不超出IDM上限并不能保证结温不超过最大允许值。可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论,来估计脉冲电流下结温的情况。 6、PD - 容许沟道总功耗 7、EAS - 单脉冲雪崩击穿能量 定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。 L是电感值,iD为电感上流过的电流峰值,其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后,将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时,即使 MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储,由MOSFET消散的能量类似。 MOSFET并联后,不同器件之间的击穿电压很难完全相同。通常情况是:某个器件率先发生雪崩击穿,随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。 8、EAR - 重复雪崩能量 额定EAR的真实意义在于标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。该定义的前提条件是:不对频率做任何限制,从而器件不会过热,这对于任何可能发生雪崩击穿的器件都是现实的。在验证器件设计的过程中,最好可以测量处于工作状态的器件或者热沉的温度,来观察MOSFET器件是否存在过热情况,特别是对于可能发生雪崩击穿的器件。 9、IAR - 雪崩击穿电流 V(BR)DSS(有时候叫做VBDSS)是指在特定的温度和栅源短接情况下,流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。 V(BR)DSS是正温度系数,温度低时V(BR)DSS小于25℃时的漏源电压的最大额定值。在-50℃, V(BR)DSS大约是25℃时最大漏源额定电压的90%。 VGS(th),VGS(off):阈值电压 VGS(th)是指加的栅源电压能使漏极开始有电流,或关断MOSFET时电流消失时的电压,测试的条件(漏极电流,漏源电压,结温)也是有规格的。正常情况下,所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此,VGS(th)的变化范围是规定好的。VGS(th)是负温度系数,当温度上升时,MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。 RDS(on):导通电阻 RDS(on)是指在特定的漏电流(通常为ID电流的一半)、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。 IDSS:零栅压漏极电流 IDSS是指在当栅源电压为零时,在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。既然泄漏电流随着温度的增加而增大,IDSS在室温和高温下都有规定。漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之间的电压计算,通常这部分功耗可以忽略不计。 IGSS ―栅源漏电流 IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。 11、动态电特性 Coss :输出电容 Crss :反向传输电容 Qgs从0电荷开始到第一个拐点处,Qgd是从第一个拐点到第二个拐点之间部分(也叫做“米勒”电荷),Qg是从0点到VGS等于一个特定的驱动电压的部分。 下面这个图更加详细,应用一下: td(off) :关断延时时间 tr :上升时间 tf :下降时间 mos管基本参数 Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD . Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路). Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻. Td(off) :关断延迟时刻.输入电压下降到 90%开端到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时刻. Tr :上升时刻.输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时刻. Td(on):导通延迟时刻.从有输入电压上升到 10% 开端到 VDS 下降到其幅值90%的时刻. Qgd :栅漏充电(考虑到 Miller效应)电量. Qgs:栅源充电电量. Qg :栅极总充电电量. 动态参数 IDSS :饱满漏源电流,栅极电压 VGS=0 、 VDS 为必定值时的漏源电流.通常在微安级. VGS(th) :敞开电压(阀值电压).当外加栅极操控电压 VGS超越VGS(th) 时,漏区和源区的外表反型层形成了衔接的沟道.应用中,常将漏极短接前提下 ID即是毫安时的栅极电压称为敞开电压.此参数通常会随结温度的上升而有所下降. RDS(on) :在特定的 VGS (通常为 10V)、结温及漏极电流的前提下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率.此参数通常会随结温度的上升而有所增大(正温度特性). 故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算. △V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压的温度系数,通常为0.1V/ ℃. V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压 VGS 为 0 时,场效应管正常作业所能接受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的作业电压必需小于V(BR)DSS .它具有正温度特性.故应以此参数在低温前提下的值作为安全考虑. 加负压非常好。 静态参数 Tj:最大作业结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ,器材规划的作业前提下须确应防止超越这个温度,并留有必定裕量. (此参数靠不住) VGS:最大栅源电压.,通常为:-20V~+20V PD:最大耗散功率.是指场效应管机能不变坏时所容许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实践功耗应小于PDSM并留有必定余量.此参数通常会随结温度的上升而有所减额.(此参数靠不住) IDM:最大脉冲漏源电流.表现一个抗冲击才能,跟脉冲时刻也有联系,此参数会随结温度的上升而有所减额. ID:最大漏源电流.是指场效应管正常作业时,漏源间所容许经过的最大电流.场效应管的作业电流不应超越 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额. 极限参数 aID—漏极电流温度系数 Vn—噪声电压 η—漏极效率(射频功率管) Zo—驱动源内阻 VGu—栅衬底电压(直流) VDu—漏衬底电压(直流) Vsu—源衬底电压(直流) VGD—栅漏电压(直流) VDS(sat)—漏源饱满电压 VDS(on)—漏源通态电压 V(BR)GSS—漏源短路时栅源击穿电压 Vss—源极(直流)电源电压(外电路参数) VGG—栅极(直流)电源电压(外电路参数) VDD—漏极(直流)电源电压(外电路参数) VGSR—反向栅源电压(直流) VGSF–正向栅源电压(直流) Tstg—贮成温度 Tc—管壳温度 Ta—环境温度 Tjm—最大容许结温 Tj—结温 PPK—脉冲功率峰值(外电路参数) POUT—输出功率 PIN–输入功率 PDM—漏极最大容许耗散功率 PD—漏极耗散功率 R(th)ja—结环热阻 R(th)jc—结壳热阻 RL—负载电阻(外电路参数) Rg—栅极外接电阻(外电路参数) rGS—栅源电阻 rGD—栅漏电阻 rDS(of)—漏源断态电阻 rDS(on)—漏源通态电阻 rDS—漏源电阻 Ls—源极电感 LD—漏极电感 L—负载电感(外电路参数) Ku—传输系数 K—失调电压温度系数 gds—漏源电导 ggd—栅漏电导 GPD—共漏极中和高频功率增益 GpG—共栅极中和高频功率增益 Gps—共源极中和高频功率增益 Gp—功率增益 gfs—正向跨导 Ipr—电流脉冲峰值(外电路参数) Iu—衬底电流 IDSS2—对管第二管漏源饱满电流 IDSS1—对管第一管漏源饱满电流 IGSS—漏极短路时截止栅电流 IF—二极管正向电流 IGP—栅极峰值电流 IGM—栅极脉冲电流 IGSO—漏极开路时,截止栅电流 IGDO—源极开路时,截止栅电流 IGR—反向栅电流 IGF—正向栅电流 IG—栅极电流(直流) IDS(sat)—沟道饱满电流(漏源饱满电流) IDSS—栅-源短路时,漏极电流 IDSM—最大漏源电流 IDS—漏源电流 IDQ—静态漏极电流(射频功率管) ID(on)—通态漏极电流 dv/dt—电压上升率(外电路参数) di/dt—电流上升率(外电路参数) Eas:单次脉冲雪崩击穿能量 Ear:重复雪崩击穿能量 Iar: 雪崩电流 一些别的的参数 Qrr :反向恢复充电电量. Trr :反向恢复时刻. VSD :正导游通压降. ISM:脉冲最大续流电流(从源极). IS :接连最大续流电流(从源极). 体内二极管参数 外壳到散热器的热阻,含义同上. 结点到外壳的热阻.它标明当耗散一个给定的功率时,结温与外壳温度之间的差值巨细.公式表达⊿ t = PD* ?. 热阻 IAR :雪崩电流. EAS :单次脉冲雪崩击穿能量.这是个极限参数,阐明 MOSFET 所能接受的最大雪崩击穿能量. 雪崩击穿特性参数:这些参数是 MOSFET 在关断状态能接受过压才能的目标.假设电压超越漏源极限电压将致使器材处在雪崩状态. KIA半导体MOS管具备挺大的核心竞争力,是开关电源生产厂家的最好的选择。KIA半导体 MOS管厂家主要研发、生产、经营:场效应管(MOS管)、COOL MOS(超结场效应管)、三端稳压管、快恢复二极管;广泛应用于逆变器、锂电池保护板、电动车控制器、HID车灯、LED灯、无刷电机、矿机电源、工业电源、适配器、3D打印机等领域;可申请样品及报价和有技术支持,有什么问题有技术员帮忙解决问题!有需要或想了解下的可以加扣扣:2880195519、18123972950 |
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