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来源:研究与设计
来自: carlshen1989 > 《半导体》
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IGBT基础:结构及应用特点
正因为内部的体P区的少子,可以穿过N型的基极区,进入到P型的集电极区,所以,这种结构称为穿通型结构。非穿通型IGBT内部,具有较宽的N...
IGBT器件的系列分类
(3)高压IGBT 目前,欧洲半导体与电子(优派克)公司(European Semiconductors and ElectronicsCompany,EUPEC)已可提供 F21200R33 KF2(1200A/3300V)系列高压IGBT(HV-IGBT),其主要特点是采用了...
一文看懂IGBT的7个时代
一文看懂IGBT的7个时代。S4真的不是IGBT4,它是根正苗红的IGBT2,适用于高频开关应用,硬开关工作频率可达40kHz。IGBT3在中低压领域基本...
NPT非穿通型IGBT的结构与原理
NPT非穿通型IGBT的结构与原理。与PT IGBT不同,NPT IGBT以低掺杂的N-基区作为衬底,是生产流程的起始点,这样P掺杂发射区就可以设计得很...
总结 | 一文读懂IGBT模块特点及技术发展趋势
西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在...
IGBT是啥?看完这篇文章我不信你还不明白
5)第五代:FS-IGBT和第六代的FS-Trench,第五、第六代产品是在IGBT经历了上述四次技术改进实践后对各种技术措施的重新组合。逆变器的核...
国内IGBT产业链23家主要企业盘点
2005年,比亚迪正式组建IGBT研发团队,并于2007年建立IGBT模块生产线,完成首款电动汽车IGBT模块样品组装。宁波达新半导体有限公司成立于2013年,是以海归博士为主创立的一家中外合资的高科技公司,主...
还搞不懂 IGBT?一文详细解读 IGBT结构和工作原理,几分钟搞定 IGBT
延迟时间 (t dn ):定义为集电极电流从漏电流 ICE上升到 0.1 IC(最终集电极电流)和集电极发射极电压从 VCE下降到 0.9VCE的时间。当施...
汽车功率元器件市场前景广阔
汽车功率元器件市场前景广阔。例如,较厚的PVD铝镀层(3-10微米)必须沉积在功率元器件的正面,以实现散热并提高电学性能。功率元器件由...
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