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光耦驱动电路

 ada_lib 2022-07-15 发布于广东

光耦合器(opticalcoupler,英文缩写为OC)亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件,通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线,受光器接受光线之后就产生光电流,从输出端流出,从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器,由于它具有体积小、寿命长、无触点,抗干扰能力强,输出和输入之间绝缘,单向传输信号等优点,在数字电路上获得广泛的应用。

耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用,所以,它在各种电路中得 到广泛的应用。目前它已成为种类最多、用途最广的光电器件之一。光耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换,从而起到输入、输出、隔离的作用。由于光耦合器输入输出间互相隔离,电信号传输具有单向性等特点,因而具有良好的电绝缘能力和抗干扰能力。所以,它在长线传输信息中作为终端隔离元件可以大大提高信噪比。在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件,可以大大提高计算机工作的可靠性。

又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件,因而具有很强的共模抑制能力。

光耦驱动继电器电路图(一)

注:

1U1-1脚可接12V,也可接5V,1U1导通,1Q1导通,1Q1-3=0V,线圈两端电压为11.7V.

1U1-1脚不接或接地,1U1不通,1Q1截止,1Q1-3=11.9V,线圈两端电压为0V。

注:

“DYD_CPU_OUT”连接LPC2367,输出高低电平,高电平,1U4不通,1Q7不通,UCE=12V,1Q7-3=12V,线圈两端电压为0V。

DYD_CPU_OUT”为低电平,1U4导通,U43=1V,U3=11V,UCE=0V,1Q1-3=0V,线圈两端电压为11.7V。以上两图是低电平使能。

这两种适用于CPU初始化时,GPIO口为高电平的情况,否则初始化会造成误动作。

“DYD_CPU_OUT”连接LPC2367,输出高低电平,低电平,1U4不通,1Q7不通,UCE=12V,1Q7-3=12V,线圈两端电压为0V。

“DYD_CPU_OUT”为高电平,1U4导通,U43=1V,U3=11V,UCE=0V,1Q1-3=0V,线圈两端电压为11.7V。此图是高电平使能。继电器的常闭触点接负载。

第2和第3图中的1R16换成510欧,1R7换成1K,否则会有上电瞬间,高电平干扰。尤其是第3图,高电平使能。

光耦驱动继电器电路图(二)

继电器开关模块由TLP521 -4 、ULN2803 和SRD -12VDC 及三极管构成,由微控制器输出的信号经过三极管构成的开关电路送往TLP521 -4 光耦芯片再通过ULN2803 达林顿管的放大后用来驱动SRD-12DC 继电器, 进而达到控制空调的各种开关的作用, 继电器开关控制模块与微控制器的电路连接图如图3 所示。

光耦驱动继电器电路图(三)

24V继电器的驱动电路

说明:VCC是5V。

继电器串联RC电路:

这种形式主要应用于继电器的额定工作电压低于电源电压的电路中。当电路闭合时,继电器线圈由于自感现象会产生电动势阻碍线圈中电流的增大,从而延长了吸合时间,串联上RC电路后则可以缩短吸合时间。原理是电路闭合的瞬间,电容C两端电压不能突变可视为短路,这样就将比继电器线圈额定工作电压高的电源电压加到线圈上,从而加快了线圈中电流增大的速度,使继电器迅速吸合。电源稳定之后电容C不起作用,电阻R起限流作用。

基极和发射极的电阻的作用是:在没有正向偏置电压的情况下,保证基极的电压为零,防止三极管的受外部的干扰而误导通,其实就是为了保证可靠性。具体的阻值的大小倒不绝对,10K、100K都可以的,只是起到下拉的作用,电流非常很小的。此继电器驱动电路已经验证通过,开和关状态良好,实际应用中最好把5V、24V两组直流电源的地分开,再配合光藕实现真正的隔离效果。

光耦驱动继电器电路图(四)

用光耦驱动继电器电路

光耦驱动继电器电路图(五)

用光电耦合器用隔离驱动电路

微机的接口电路中,实现主机与外设的隔离,一般有两种方式:一种是使用继电器;另一种是使用光电耦合器。

采用电池的功耗产品,对电池的电能消耗是需优先考虑的,附图的电路采用光电耦合器作为隔离,电池的消耗电流可低至50μA以下,但驱动器提供的电流大于1A。

此电路对元件的要求比较高,光电耦合器U1只能采用型号为CNY17F-4的正品元件,实验中试过十多种光电耦合器,仅此型号输入电流50μA时,电路即可工作,其余光电耦合器驱动电流都需几百微安以上。

Q1、Q2的耐压可根据两管工作输入电压的大小而定,若输入电压大于220V,需使用耐压高于400V的三极管与可控硅。

另外,对Q1要求穿透电流要小,对功率没有要求。对Q2要求触发电流小于15mA,否则可能会出现负半周削波的现象。

参考文献

http://www.eepw.com.cn/news/listbylabel/label/%E5%85%89%E8%80%A6

https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA3OTM2NzUxOA==&mid=2651573824&idx=1&sn=9e0e4c4514f9320d1bbc7fca4e5e9e31&chksm=844bf271b33c7b6790add8fe739377f0830107cd95dd4190cb9e11cece5dc99cffdb8ec0e5f1&mpshare=1&scene=24&srcid=0819hqAateVmxBWZiXaQGxml&sharer_sharetime=1629363928398&sharer_shareid=f31a2d9bea8fe6bce82834cf71333cb3&exportkey=AcpX%2Bkwa6i0xtu8qQ%2BuCfNA%3D&pass_ticket=vRjZc%2Fm45o44Y%2Fn0PakIolyH9TU6MY6kxeJAZa3LlIywnp6mxXYxtB0F8iuiSkFF&wx_header=0#rd

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