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罗姆:开发出导通电阻降低20%的“功率半导体”

 AIpatent 2022-09-23 发布于上海



本文540字,阅读约需1分钟

摘   要:日本罗姆(ROHM)株式会社开发出一种用于降低逆变器电路功率损耗的功率半导体,且在600V耐压超结结构的MOSFET的“PrestoMOS”系列中增加了7种型号。

关键字:功率半导体、导通电阻、金属氧化物半导体场效应晶体管、反向恢复时间、量产

罗姆(ROHM)株式会社开发出一种用于降低逆变器电路的功率损耗的功率半导体。在600V耐压超结结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“PrestoMOS”系列中,增加可同时实现行业内最快的反向恢复时间(trr)以及导通电阻降低的7种型号。新型号已于今年1月开始量产,月产量达10万件。不含消费税的样品单价为900日元(约为47元人民币)。

新型号具有如下特点:trr(开关时损耗的原因)减小至105纳秒(1纳秒=1/10亿秒);同时,与其他公司的现有产品相比,导通电阻(导通时功率损耗的原因)最大降低20%。通过减小trr,与其他公司的同类产品相比,开关时的功率损耗减少17%。通过同时实现这两种性能,有助于降低装载机器的耗电量。

600V耐压超结MOSFET:维持trr的同时,与其他公司产品相比,导通电阻最大可降低20%

通过独有的元件设计技术,提高了单位面积的电流密度,今后有望应用于电动汽车(EV)充电站、服务器、空调等逆变器电路中。新型号生产的前道工序将在日本滋贺县和福冈县完成,后道工序将在中国工厂完成。

随着全球电力消耗量的增加,面临如何提高EV充电站、基站、白色家电效率的课题,需要降低安装在这些设备上的功率半导体的功率损耗。因此,罗姆计划在今年内推出低噪音性能得到提升的系列产品,进一步扩充产品类型,以应对广泛的用户需求。


翻译:史海燕

审校:贾陆叶

李   涵

统稿:李淑珊

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