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一本论述极紫外光刻技术的最新专著
引进自国际光学工程学会(SPIE)
ASML专家团队倾力翻译
点击封面进入小程序即可购买~
[美]哈利·杰 莱文森 著
高伟民 译
上海科学技术出版社
定价:128.00元
ISBN: 978-7-5478-5721-2
近年来全球陷入“缺芯”危机,直到现在仍在持续,并且缺芯已经波及到了所有与芯片相关的产业。光刻工艺是芯片制造工艺中的一个重要步骤,光刻技术是迄今所能达到的最高精度的加工技术。光刻机也常被称为“半导体工艺皇冠上的明珠”。极紫外光刻(extreme ultraviolet lithography,EUV)技术被称为下一代光刻技术,它是7nm及以下芯片制造最核心的技术关键。
EUV全反射投影系统
(图片来源:ASML官网)
EUV每秒钟激发50000次
内容简介
本书综合地介绍了极紫外光刻技术相关的各个重要方面及其发展历程,不仅论述了极紫外光源、极紫外光刻曝光系统、极紫外掩模板、极紫外光刻胶、极紫外计算光刻的技术内容,而且还讨论了极紫外光刻生态系统的其他重要方面。最后,本书还对满足未来芯片工艺节点要求的极紫外光刻技术的发展方向进行了探讨。
著译者信息
1
作者信息
哈利·杰·莱文森
♦光刻界的泰斗级科学家,专注于光刻领域多年
♦国际光学工程学会(SPIE)会士,HJL Lithography的独立光刻顾问和首席光刻师
♦担任美国光刻技术工作组主席数年,参与制定了《国际半导体技术路线图》中有关光刻技术的章节
♦硅谷首批SVG-5倍步进式光刻机的用户之一,也是248nm、193nm和极紫外光刻的早期参与者
♦2022年,被SPIE授予弗里茨·泽尔尼克奖(Frits Zernike Award)
2
译者信息
高伟民
♦资深的光刻技术专家
♦阿斯麦公司(ASML)中国区技术总监
♦曾任职于比利时微电子研发中心(IMEC)和美国新思科技(Synopsys)
♦专注先进光刻技术研发20多年,拥有16年极紫外光刻技术研发的丰富经验
本书亮点
本书是一本论述极紫外光刻技术的最新专著,从内容上看新颖又全面,从形式上看详实又精炼。
时—— 一本非常及时且内容丰富的芯片领域参考书
新—— 有关极紫外光刻技术许多最新的研发内容都有所介绍和讨论
专—— 聚焦极紫外光刻技术特点、要求和应用
读者对象
芯片制造、半导体设备、光刻技术等相关方面的技术和管理人员
集成电路、微纳电子、光电工程等专业本科生
短波光学、激光与物质相互作用、激光等离子体、极紫外光辐射等领域的研究生和专业研究人员
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