BJT(bipolar junction transistor)

• 三极管工作原理：基极与发射极完全导通，导致基极b被发射极e的载流子填充满，此时压降为0.7v，此时集电极发射极的电子集射极间的大电压在基射部分导通后也部分导通，基射完全导通，基极消失，集射极间呈电子漂移运动，三极管饱合导通。

• 集电极e的高掺杂浓度，会在大电场的推动下，更容易穿过集射ce区间。发射极c最宽可以增加散热效率（散热底座），基极b最窄，be导通后，ce漂移运动阻碍最小。

• be极在0.65V就产生电流，有电流就开始导通。bjt饱和状态时，ce极间的压降是0.2v，be间压降0.7v，bc极间也就是-0.5v 。

• b极可以理解为一个门，每中和b极中的一个空穴，就会门开一点，流过100个载流子（bjt β一般为100倍）；bjt也可视为由b极电流控制ce极电阻的结构原理。

• 交流信号必须控制在截止与饱和区间才能不失真。

• BJT工作中ce电流增大，三极管会发热，发热后ce电阻增加致使ce压降变小，与金属发热电阻增加相反。

  
  

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