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1.MOS管为什么会发热？哪些时刻在发热？怎么做才能不发热？
(1)MOS管工作在线性的工作状态，而没有在开关状态。 (2)频率太高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。 (3)电流太高，没有做好足够的散热设计，MOS管标称的电流值，一般需要较良好的散热才能达到。所以Id小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。 (4)MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。 2.MOS管为什么会损坏？过流损坏是什么现象？过压损坏时什么现象？ (1)过流 持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁。 (2)过压与静电 MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。 静电击穿有两种方式： 一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路； 二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。 静电放电形成的是短时大电流，放电脉冲的时间常数远小于器件散热的时间常数。因此，当静电放电电流通过面积很小的pn结或肖特基结时，将产生很大的瞬间功率密度，形成局部过热，有可能使局部结温达到甚至超过材料的本征温度(如硅的熔点1415℃)，使结区局部或多处熔化导致pn结短路，器件彻底失效。这种失效的发生与否，主要取决于器件内部区域的功率密度，功率密度越小，说明器件越不易受到损伤。 静电的基本物理特征为： ① 有吸引或排斥的力量； ② 有电场存在，与大地有电位差； ③ 会产生放电电流。 这三种情形即ESD一般会对电子元件造成以下三种情形的影响： ① 元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿 命； ② 因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完 全破坏）； ③ 因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然 仍能工作，但是寿命受损。 上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现，在这种情形下，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易，而且损失亦难以预测。 3.MOS管有哪几种工作状态？导通如何判断是工作在可变电阻区还是恒流区？有什么区别？ 
(1)可变电阻区（也称非饱和区）
在满足Ugs>Uthgs（开启电压），且Uds<ugs-uthgs时，为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域uds值较小，沟道电阻基本上仅受ugs控制。当ugs一定时，id与uds成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管d、s间相当于一个受电压ugs控制的可变电阻。< p=''></ugs-uthgs时，为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域uds值较小，沟道电阻基本上仅受ugs控制。当ugs一定时，id与uds成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管d、s间相当于一个受电压ugs控制的可变电阻。<>
(2)恒流区（也称饱和区、放大区、有源区）
在满足Ugs>Uthgs（开启电压），且Uds≥Ugs-Uthgs时，为图中预夹断轨迹右边、但尚未击穿的区域，在该区域内，当Ugs一定时，Id几乎不随Uds而变化，呈恒流特性。Id仅受Ugs控制，这时场效应管D、S间相当于一个受电压Ugs控制的电流源。场效应管用于放大电路时，一般就工作在该区域，所以也称为放大区。
(3)夹断区（也称截止区）
夹断区（也称截止区）满足Ugs<uthgs（开启电压）,为图中靠近横轴的区域，其沟道被全部夹断，称为全夹断，id=0，管子不工作。< p=''></uthgs（开启电压）,为图中靠近横轴的区域，其沟道被全部夹断，称为全夹断，id=0，管子不工作。<>
(4)击穿区位
击穿区位于图中右边的区域。随着Uds的不断增大，pn结因承受太大的反向电压而击穿，Id急剧增加。工作时应避免管子工作在击穿区。
4.MOS管的导通和关闭，是不是越快越好？增加缓启动电流有什么影响？
(1)开关损耗
通常MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损耗。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
(2)缓启动对电流影响
系统在上电的时候往往意味着电源线插拔，或者开关的拨动，这种人为的动作在我们看来只是一瞬间（ms级），但是对于机器来说是一段很长的时间（够电路开关机好几次了），并且伴随着不稳定（手抖、机械振动等等），为系统带来不安定因素，因此我们希望系统在渡过这段时间后在进行工作，即延时上电。
为了防止冲击电流，由于负载端电容往往都比较大，加上负载本身的功率损耗，因此在导通的瞬间会从源端吸收很大的电流，而我们电源往往都是有响应时间或者是功率上限的，当这个电流瞬间增大的时候，对电源来说意味着输出的功率要提高，当电源本身输出能力还未响应过来的时候（可以理解为此时功率不变），输出电流需要增大，那么相应的输出电压就只能减小，如果这个电压减小幅度过大，超过了器件正常工作电压，那么器件就会停止工作，进而导致系统异常。另一方面，冲击电流过大还可能导致器件损坏。
缓启电路的直观作用有两个：延时电源输出时间、改变输出电流上升斜率。
5.MOS管开关快慢为什么会引起米勒震荡？米勒震荡和发热问题该如何权衡？
(1)米勒震荡
MOS管的等效电路与应用电路如下图所示：
MOS管的输入与输出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一个反相器，也可以理解为一个反相工作的运放。如下图所示：
从运放这张图中，可以一眼看出，这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，但是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较高，比如310V下，通过Cgd的电流比较大，强的积分很容易引起振荡，这个振荡叫米勒振荡。 所以Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时间，也就是积分那段时间，叫米勒平台。
米勒振荡的本质是因为在高压和高速开关下，注意是高压和高速开关下，MOS管在高压高速开关下，就是一个典型的高增益负反馈系统，负反馈特别严重，高增益负反馈很容易引起振荡，尤其是反馈还是电容，又引入了相位移动，反馈相位接近270度。
负反馈180度是稳定点，360度是振荡点，270度处于稳定与振荡点之间，所以强的负反馈会表现为衰减式振荡。（通俗的理解：输入因为有电感和电阻的限流，高压下反馈突变信号通过电容，因为不平衡引起振荡。）
相同条件下，低压下因为负反馈没有这么剧烈，所以米勒振荡会很小，一般高频电源先用低压100V测试，波形很好，看不到米勒振荡，但是到了300V，波形就变差了。
如何避免米勒振荡：
① 减缓驱动强度
a.提高MOS管G极的输入串联电阻，一般该电阻阻值在1~100欧姆之间，具体值看MOS管的特性和工作频率，阻值越大，开关速度越缓。
b.在MOS管GS之间并联瓷片电容，一般容量在1nF~10nF附近。看实际需求。
c.调节电阻电容值，提高电阻和电容，降低充放电时间，减缓开关的边沿速度，这个方式特别适合于硬开关电路，消除硬开关引起的振荡。
② 加强关闭能力
a.差异化充放电速度，采用二极管加速放电速度
b.当第一种方案不足时，关闭时直接把GS短路
c.当第二种方案不足时，引入负压确保关断。
③ 增加DS电容
在ZVS软开关电路中，比如UC3875移相电路中，MOS管DS之间，往往并联无感CBB小电容，一般容量在10nF以内，不能太大，有利于米勒振荡，注意该电容的发热量，频率更高的时候，需要用云母电容。
④ 提高漏极电感方式
a.在漏极串联镍锌磁珠，提高漏极电感，减缓漏极的电流变化，降低米勒振荡，这个方案也是改善EMC的方法之一，效果比较明显，但该方案不适合高频率强电流的场合，否则该磁珠就发热太高而失效。
b.PCB布线时，人为的引入布线电感，增长MOS管漏极、源极的PCB布线长度，比如方案C中，适当提高半桥上下MOS管之间的引线，对改善米勒振荡有很大的影响，但这个需要自身的技术水平较高，否则容易失败，此外布线长度提高，需要相应的考虑MOS管的耐压，严重的，需要加MOS管吸收电路。
(2)米勒震荡与发热
开关慢不容易米勒震荡，但开关损耗大，管子发热大，开关速度快理论上开关损耗低（只要能有效抑制米勒震荡），但是往往米勒震荡很厉害（如果米勒震荡很严重，可能在米勒平台就烧管子了），反而开关损耗也大。
所谓开关损耗是指MOS管在开通和关断过程中，电压和电流不为0，存在功率损耗。
由前述MOS管导通过程可知，开关损耗主要集中在t1~t3时间段内。而米勒平台时间和MOS管寄生电容Crss成正比，其在MOS管的开关损耗中所占比例最大，因此米勒电容Crss及所对应的Qgd在MOS管的开关损耗中起主导作用。 因此对于MOS管的选型，不仅需要考虑栅极电荷Qg和栅极电阻Rg，也需要同时考虑Crss(Cgd)的大小，其同时也会在规格书的上升时间tr和下降时间tf参数上有间接反映，MOS管的关键参数如下图所示： 
MOS管的各种损耗可以通过以下公式近似估算：
开关损耗：
PSW = 0.5× Vin × Io × (tr + tf) × fSW；
系数0.5是因为将MOS管导通曲线看成是近似线性，折算成面积功率，系数就是0.5；Vin是输入电压，Io是输出电流；tr和tf是MOS管的上升时间和下降时间，分别指的是漏源电压从90%下降到10%和漏源电压从10%上升到90%的时间，可以近似看作米勒平台的持续时间，即上图中的(t3-t2)。
另外，规格书中的td(on)和td(off)可以近似看作是Vgs电压从0开始上升到米勒平台电压的时间，即上图中的t2。
根据上述的开关损耗公式可以计算出损耗功率，参照MOS管的功率温升系数，可计算出开关损耗温度，设计中保证好合理的开关损耗温度即可防止MOS管过热损坏。
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