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1. TOPCon 电池结构 ① TOPCon 电池整体结构
② TOPCon 电池背面结构
③ 背面结构氧化层 a. 作用
b. 氧化层深度相关曲线
④ 背面结构掺杂多晶硅层 a. 作用
b. 多晶硅层相关曲线
c. 多晶硅层长波吸收，厚度与掺杂浓度关系曲线
2.TOPCon电池工艺流程
3. TOPCon电池各工序作用 ① 制绒 a. 制绒目的：
b. 制绒的原理：在一定的浓度、温度、时间下，利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀特性，Si与碱液（NaOH)进行一系列化学反应，在硅片表面形成金字塔绒面。 主反应：2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2 ② 硼扩 a. 目的：形成P-N结
在N型硅片（掺磷）上扩散P型元素（硼）形成P-N结（即空间电荷区） ，在正面形成P+层，背面形成N+层。 b. 原理： 在一定的浓度、温度、压力及时间下，硼源（BBr3或BCl3）在管式炉中汽化后，经过一系列化学反应在硅片表面进行沉积，获得合适的掺杂浓度、结深及方阻； 总反应：
③ 碱抛光 a. 碱抛光流程
b. 各槽体作用
c. 微观形态
④ LPCVD（低压化学气相沉积） a. 目的：
b. 原理： 用加热的方式，在低压条件下使SiH4在硅片表面反应并沉积成固体薄膜。 氧化层沉积：高温通氧气，氧气和硅反应生产氧化硅； 反应方程式 ：O2+Si→SiOx 非晶硅沉积：高温通硅烷，硅烷热分解成硅和氢气；反应方程式：SiH4（气）=Si（固）+H2 ⑤ 磷扩 a. 磷扩的目的：在背面形成N+层 b. 磷扩的原理：
氧气的存在下，POCl3在高温下分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5）,反应式：
生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子,反应式：
⑥ 正面刻蚀 a. 工艺流程： 正刻槽（加水膜）→水洗→碱洗→水洗→ 酸洗→水洗→烘干 b. 正刻槽作用： 主要通过HF+HNO3的混合溶液，对硅片正面和边缘进行刻蚀，以达到去除正面及边缘BSG的作用。 c. 碱洗槽作用： 主要用来中和正刻槽残留的酸液，并去除正刻槽反应生成的多孔硅。 c. 酸洗槽作用： 去除氧化层，使硅片表面疏水。 d. 槽体及功能
⑦ ALD
⑧ 正背膜 a. 目的
硅片表面形成一层Si3H4薄膜，既可作为减反射膜，产生钝化作用；又因其结构致密保证硅片不被氧化； b. 原理： 硅片置于阴极上，利用辉光放电使硅片升温到预定的温度，然后通入适量的SiH4和NH3气体，经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态Si3H4薄膜；
⑨ 金属化 a. 工艺流程为： 背面印主栅→烘箱→背面印副栅→烘箱→正面印主栅→烘箱→正面印副栅→烧结炉→高温退火炉→测试； 其中正、背面印刷均采用分步印刷方式，印刷流程图示如下：
b. 烧结目的：
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