 在2022 IEEE国际电子器件会议上，英特尔发布了多项突破性研究成果，继续探索技术创新，以在未来十年内持续推进摩尔定律，最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。英特尔的研究人员展示了以下研究成果：3D封装技术的新进展，可将密度再提升10倍；超越RibbonFET，用于2D晶体管微缩的新材料，包括仅三个原子厚的超薄材料；能效和存储的新可能，以实现更高性能的计算；量子计算的新进展。 在IEDM 2022，英特尔的组件研究团队展示了其在三个关键领域的创新进展，以实现摩尔定律的延续：新的3D混合键合（hybrid bonding）封装技术，无缝集成芯粒；超薄2D材料，可在单个芯片上集成更多晶体管；能效和存储的新可能，以实现更高性能的计算。 英特尔组件研究团队所研发的新材料和工艺模糊了封装和芯片制造之间的界限。英特尔展示了将摩尔定律推进到在单个封装中集成一万亿个晶体管的关键步骤，包括可将互联密度再提升10倍的先进封装技术，实现了准单片（quasi-monolithic）芯片。英特尔还通过材料创新找到了可行的设计选择，使用厚度仅三个原子的新型材料，从而超越RibbonFET，推动晶体管尺寸的进一步缩小。 英特尔通过下一代3D封装技术实现准单片芯片： ● 与IEDM 2021上公布的成果相比，英特尔在IEDM 2022上展示的最新混合键合研究将功率密度和性能又提升了10倍。 ● 通过混合键合技术将互连间距继续微缩到3微米，英特尔实现了与单片式系统级芯片（system-on-chip）连接相似的互连密度和带宽。 英特尔探索通过超薄“2D”材料，在单个芯片上集成更多晶体管： ● 英特尔展示了一种全环绕栅极堆叠式纳米片结构，使用了厚度仅三个原子的2D通道材料，同时在室温下实现了近似理想的低漏电流双栅极结构晶体管开关。这是堆叠GAA晶体管和超越硅材料的固有限制所需的两项关键性突破。 ● 研究人员还展示了对2D电接触材料的拓扑结构的首次全面分析，有望为打造高性能、可扩展的晶体管通道进一步铺平道路。 为了实现更高性能的计算，英特尔带来了能效和存储的新可能： ● 通过开发可垂直放置在晶体管上方的存储器，英特尔重新定义了微缩技术，从而更有效地利用芯片面积。英特尔在业内率先展示了性能可媲美传统铁电沟槽电容器（ferroelectric trench capacitors）的堆叠型铁电电容器（stacked ferroelectric capacitors），可用于在逻辑芯片上构建铁电存储器（FeRAM）。 ● 业界首创的器件级模型，可定位铁电氧化器件（ferroelectric hafnia devices）的混合相位和缺陷，标志着英特尔在支持行业工具以开发新型存储器和铁电晶体管方面取得了重大进展。 ● 英特尔正在为打造300毫米硅基氮化镓晶圆（GaN-on-silicon wafers）开辟一条可行的路径，从而让世界离超越5G和电源能效问题的解决更进一步。英特尔在这一领域所取得的突破，实现了比行业标准高20倍的增益，并在高性能供电指标上打破了行业记录。 ● 英特尔正在超高能效技术上取得突破，特别是在断电情况下也能保留数据的晶体管。对于三个阻碍该技术在室温下完全实现并投入使用的障碍，英特尔的研究人员已经解决其中两个。 英特尔继续引入新的物理学概念，制造用于量子计算的性能更强的量子位： ● 英特尔的研究人员加深了对各种界面缺陷（interface defects） 的认识，这些缺陷可能会成为影响量子数据的环境干扰（environmental disturbances），从而找到了储存量子信息的更好方法。 （图片来源于互联网） |
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