新金属材料-砷化铌纳米

目前最主要的导电材料是铜，随着计算设备体积越来越小，当铜变得很薄，进入二维尺度时，电阻变大，导电性迅速变差，功耗大幅度增加，这也是制约芯片等集成电路技术进一步发展的重要瓶颈。 

2019年3月19日，据央视报道，材料领域国际顶级期刊《自然·材料》，发表复旦大学修发贤团队最新研究论文，《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》，制备出二维体系中具有目前已知最高导电率的外尔半金属材料-砷化铌纳米带。

这种砷化铌纳米带的电导率，是铜薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。

更让人期待的是，区别于超导材料只能在零下几十度超低温下应用，新材料砷化铌的高电导机制即使在室温下仍然有效。

复旦大学物理学系教授修发贤团队利用了氯化铌、砷、氢气三种元素来制备这种砷化铌纳米带，这种材料有一个表面态，允许电子在上面快速地通行，可以让电子快速通过而降低能耗。

修发贤还称，该技术有望解决手机电脑发热问题，他表示，我们的手机发热、电脑发热是有两个原因，晶体管本身的发热和电流流经这些（互连）导线所产生的导线发热，那我们现在要解决的问题就是导线的发热，我们的这个材料就可以在这一方面有所用途。 

导电材料是电子工业的基础，现在最主要的材料是铜，已大规模用于晶体管的互连导线。

信息时代，计算机和智能设备体积越来越小，信号传输量爆炸式增长，芯片中上千万细如发丝的晶体管互连导线“运送压力”随之加大。而当铜变得很薄，进入二维尺度时，电阻变大，导电性迅速变差，功耗大幅度增加。

所以，新材料的出现，有望带来新的技术和发展。