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三星已开始大规模生产其最高位密度的三级单元NAND，这将增加驱动器容量、提高性能速度，以及降低该供应商成本。 自从在 2022 年闪存峰会和Memory Tech Day大会上发布该芯片以来，三星现在正在生产其第八代垂直NAND，即三星的3D NAND 版本。最新的是1TB密度的三级电池闪存芯片。该公司表示，其最新一代的数据传输速度提高了1.2倍，达到2.4 Gbps。 IDC研究副总裁Jeff Janukowicz表示，当主要供应商将下一代产品推向市场时，人们关注的是成本节约和更好的性能，这次也没有什么不同。 Janukowicz 表示：“在企业市场，我们看到对更高密度产品的需求，特别是对于存储应用。更高的密度往往也意味着更低的成本。” 他说，这种新的NAND不仅仅是为了制造高容量驱动器。同时，在较小容量的驱动器上使用更密集的NAND可以为三星节省成本。 难以置信的密度根据IDC的研究表明，三星通过提高每个晶圆的位生产率实现了位密度，但他们没有提供额外的细节。三星是最大的NAND供应商，拥有约40%的市场份额。 Objective Analysis公司总经理兼半导体分析师Jim Handy表示，由于缺乏具体信息，我们很难量化三星新一代NAND与美光200多层NAND等竞争产品相比的表现。 他说，显而易见的是，增加密度可为该供应商带来最大的收益。 Handy表示：“对于任何闪存制造商来说，NAND进入下一开发阶段的好处是降低成本。” Handy说，虽然增加密度和降低成本可能不会直接使客户受益，但客户会喜欢速度提升。 性能三星最新一代垂直NAND（V-NAND）采用Toggle双倍数据速率 （DDR） 5.0 接口标准。Toggle标准由三星和东芝（现为Kioxia）共同创建，而DDR 5.0接口标准加快了数据传输速率，使三星能够提高V-NAND性能。 Handy 说：“Toogle DDR 5.0接口速度非常快，如果有人希望更快的NAND，现在就在这里。” 最新版本Toogle使数据传输速率达到每个引脚2400 Mbps，对于16引脚设备，数据传输速率为4800 GB/s。他说，NAND芯片的性能很快，但从芯片到控制器，然后通过接口到主机，性能会变慢。 尽管如此，芯片性能的提高将有利于SSD性能。Handy说，虽然任何NAND都可以用于更快的PCIe 5.0 SSD接口，但更快的NAND将带来更快的整体驱动器性能。 IDC的Janukowicz称：“每一代NAND都会看到内部结构的变化，这可能导致性能的提高。” 新规格的潜力为即将推出的接口提高速度并不是这个新芯片的唯一潜在优势。Janukowicz说，每晶圆的密度是另一个新兴趋势，即从传统规格转向企业和数据中心标准外形规格（EDSFF）。某些外形规格的NAND封装空间有限。 “无论是长还是短，我们都看到转向更高容量的趋势，特别是在E.1L外形规格上，”他指的是长型或标尺SSD。 Handy说，通过添加更多的NAND来获得更高的容量也会产生更多的热量。EDSFF变频器具有更好的热调节能力，使其成为更高容量的更好选择。 |
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