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更新时间：2021-07-30 我们都知道固态硬盘的数据是储存在NAND闪存中的，我们的资料、媒体、程序等等均以二进制的0和1储存在NAND闪存中。我们再微观一点去看每一个Cell是如何储存数据的。在SLC中（Single Level Cell）中，一个Cell可以有两个电位，即每个电位都可以表达0或者1，即1bit信息。而在MLC（Multi Level Cell）中单个Cell则可以储存更多的数据，即00、01、10、11四种，即2bit信息。而在TLC（Triple Level Cell）中则可以储存3bit信息，以此类推QLC（Quadruple Level Cell）则是单个Cell可以储存4Bit的信息。而随着晶体管制造工艺的提升PLC在某个时间节点也一定会到来。 从SLC到目前普及开来的TLC，单个Cell储存密度的提升带来一个显而易见的好处，就是固态价格大幅下降，准确点说是每G价格的大幅下降。在2013年的时候，一块120G的固态硬盘往往就需要600-700元的价格。那个时候大家还只是将系统和一些必要软件装在固态里面，像把大型单机装在固态里面还属于“土豪”行为，而今一块1TB的固态也仅仅需要不到700元。相信大家日常使用中，固态会全方位得到应用，机械硬盘反而将成为了比较少见的硬件。 但是随着密度的逐步提升，寿命也成为了大家非常关心的问题。了解固态的朋友应该都知道，NAND芯片是存在理论寿命的。以SLC颗粒为例，它的擦除（P/E）寿命大概是1万-10万次全盘，而MLC则是3000-5000次。TLC则下降到了1000-3000次。但是大家需要了解的一点是，在日常使用中，大多是读取的操作，比如我安装了一个游戏，然后我在玩游戏的过程中实际上是读取硬盘中的游戏，而这个过程对寿命几乎没有影响！而且现在主控都有自己的均衡策略，即保障硬盘所有的NAND芯片使用雨露均沾，避免某一个NAND芯片提前损坏！在算法的加持下，其实正常使用固态的寿命是根本用不完的！另外随着工艺的提升，或许未来密度大寿命低的问题也将持续得到改进。 随着技术的发展，未来我们就能够使用到容量更大，且价格实惠的固态硬盘了。虽然从SLC到QLC一路并不是都是赞歌，也有人觉得不管是寿命还是性能，SLC到QLC都是倒退，但是弥补性能和寿命的方法多种多样，缓存技术、均衡技术都将影响固态的性能。 |
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