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树欲静而风不止，看来炒SIC的外行占比还是挺多的，本来这几天挺忙的，但看到今天这个情况，还是忍不住中午抽点时间简单说一下。 特斯拉说减少SIC 75%的用量，指的是器件数量，MOS管的数量，而非衬底用量。下面我简单分析一下： 1. 汽车要跑，肯定需要一定的功率，特斯拉不管怎么降成本，要想保持性能不变，肯定不能降功率；这就需要逆变器输出的额定功率不变。 2. 逆变器的功率，取决于SIC mos管的额定电流或者导通电阻，导通电阻越小，额定电流越大。现在降低SIC MOS管的数量，就需要增加每个MOS管的电流，比如原来使用4个MOS管并联，现在使用1个MOS管，则这个MOS管的额定电流需要是原来的4倍。 3. MOS管电流（或导通电阻，额定电流和导通电阻是反比关系）和die面积的关系，我们先看这个wolfspeed器件的截图：  简单起见，我们以40mR和160mR来计算，1个40mR MOS的Die面积（对应衬底面积）为3.1*5.9=18.29平方毫米，4个160mR MOS的Die面积为：2.39*2.63*4=25.1428平方毫米；1个40mR的MOS替代4个160mR的MOS，相当于衬底是原来用量的：18.29/25.1428=72.7%，而这是几年之后的事情，完全符合正常降本的预期啊。 当然，随着未来进步，单位电流Die的面积也会慢慢下降，任何技术发展都是这样；对这属于正常的技术演化，没必要过度解读。 4. 减少MOS管的数量，还有一个优势是减少驱动电路和控制电路的复杂性，减少芯片的数量，这部分和SIC衬底无关。 任何行业，降本都是永恒的主体，这个没有任何问题，SIC衬底本身的成本下降的更快；从长远来看，汽车领域只是一部分，整个功率器件市场才是星辰大海。 特斯拉只不过是用1个更大功率的sic mos替代原来的4个器件，对衬底用量影响不大，符合正常的降本预期；降低器件数量后，也能降低sic控制电路和驱动电路的复杂性（这部分和sic无关），降低整体电驱的成本，有利于提高sic的渗透率。如果考虑到加速sic的渗透率，至少是中性的。 原文 转发自雪球，终局思考者 |
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