16N65
CURRENT 16 Ampere
主要参数：
ID 16A
VDSS 650V
RDSON-typ(@VGS=10V) 0.45Ω
性能 特点：
? 开关速度快
? 低导通电阻
? 低反向传输电容
? 低栅极电荷量
? 100%单脉冲雪崩能量测试
? 提升了 dv/dt能力
机械性能：
? 注塑 成型封装
? 适用任何位置安装
? 封装材料符合 UL 94V-0燃烧防火等级标准
? 加工 焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s
? 封装 形式 : TO-220F, TO-247, TO-247S
G.栅极 D.漏极 S.源极
产品规格分类：
产品 料号 封装形式 产品印字 包装方式
YFW16N65A8 TO-220F(1.3mm) 16N65AF 50PCS每管
YFW16N65A6 TO-247 16N65AP 30PCS每管
YFW16N65A7 TO-247S 16N65APS 30PCS每盘
VOLTAGE RANG 650 Volts
ASEMI MOSFET
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极限参数 :(除非特殊说明， TC=25°C)
参数名称
符号
参数范围
单位
220F
247/247S
漏源电压
VDS
650
V
栅源电压
VGS
±30
V
漏极电流 -持续
ID
16
A
漏极脉冲电流 (注
1)
IDM
64
A
耗散功率
PD
70
180
W
单脉冲雪崩能量 (注
1)
EAS
800
mJ
工作结温范围
TJ
150
°C
贮存温度范围
TSTG
-55 to +150
°C
芯片对管壳热阻
RθJC
1.79
0.7
°C/W
芯片对环境的热阻
RθJA
100
62.5
°C/W
电气参数 :(除非特殊说明， TC=25°C)
参数名称
测试条件
符号
最小值
典型值
最大值
单位
漏源击穿电压
VGS
= 0 V,ID
= 250 μA
BVDSS
650
-
-
V
漏源击穿电流
VDS
= 650V, VGS
= 0 V
IDSS
-
-
1
UA
栅源漏电流
VGS
= ± 30 V, VDS = 0 V
IGSS
-
-
±100
nA
栅极开启电压
VDS
= VGS
, ID
= 250 μA
VGS(th)
2
-
4
V
导通电阻
VGS
= 10 V, ID
= 8
A
RDS(on)
-
0.45
0.55
Ω
正向跨导
VDS
= 15
V, ID
= 8
A
gfs
-
15
-
S
输入电容
VGS = 0 V, VDS
= 25
V,
f = 1MHz
Ciss
-
2250
-
pF
输出电容
Coss
-
208
-
反向传输电容
Crss
-
17
-
开启延迟时间 (注 2)
ID
= 16A, VDD
=325V,
RG= 10Ω
td(ON)
-
30
-
nS
开启上升时间 (注 2)
tr
-
70
-
关断延迟时间 (注 2)
td(OFF)
-
145
-
关断下降时间 (注 2)
tf
-
74
-
栅极电荷量 (注 2)
ID
= 16
A, VDD
= 325
V,
VGS
= 10 V
QG
-
71
-
nC
栅极 -源极电荷量 (注 2)
QGS
-
15
-
棚极 -漏极电荷量 (注 2)
QGD
-
22
-
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CURRENT 16 Ampere
VOLTAGE RANG 650 Volts
ASEMI MOSFET
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源 -漏二极管特性参数 :(除非特殊说明， TC=25°C)
参数名称
测试条件
符号
最小值
典型值
最大值
单位
源极电流
MOS管中源极、漏极构成的
反偏 P-N结
IS
-
-
16
A
源极脉冲电流 (注 2)
ISM
-
-
64
A
源 -漏二极管压降
ISD
= 16A,
VSD
-
-
1.5
V
反向恢复时间 (注 2)
ISD
= 16A, VGS
= 0 V,
dIF
/ dt = 100 A/μs,
trr
-
410
-
nS
反向恢复电荷 (注 2)
Qrr
-
3.5
-
uC
（注 :）
1.
脉冲测试：脉冲宽度≦ 300uS,占空比≦ 2%;
2.
基本上不受工作温度的影响。
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ASEMI MOSFET
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典型特性区线图
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封装外型尺寸图
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封装外型尺寸图
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