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体声波（BAW）滤波器的工作原理最常被与声表面波（SAW）滤波器放在一起比较。如下图所示，两者的主要构成都是压电材料与金属电极，因为这类器件的基本原理就是应用压电材料在变化电场中形变、震动所产生的声波谐振来实现滤波功能。
同时，因为SAW滤波器在我国是作为已装配的压电晶体归类的，故看上去同由压电材料和电极构成的BAW滤波器也往往会适用相同的思路被归在税则号列8541.6000。
然而，滤波器的谐振频率取决于压电材料的尺度，因此不同于用在较低频段的SAW滤波器，随着BAW滤波器适用频率的升高，要求压电材料的厚度越来越薄，则其结构强度和制作难度也越来越受限，所以就需要把这个包含压电材料和电极的基本结构制作在一个基板上。又因为目前主流的BAW滤波器都采用硅衬底作为基板，于是就出现了“半导体基”的BAW滤波器。
制作在衬底上的BAW滤波器包含两个主要的类型——固态装配谐振器（SMR）和薄膜体声波谐振器（FBAR）——后者是2022版85.41品目注释新增部分“半导体基谐振器”下具体列举的商品。同时，2023年关税调整方案也是将暂定税商品“半导体基滤波器”列于税则号列8541.5140，即视其为一种半导体基换能器。
但如前所述，BAW滤波器中实现滤波的是压电材料的部分，采用硅衬底只是基于器件强度和工艺的考虑，故理论上也可制作在其他材料（例如，玻璃）之上，而如此就与注释关于“半导体基片或材料在换能器功能中起到不可替代的关键作用”的描述矛盾了。
换言之，现行85.41品目注释对于半导体基换能器的整体描述与具体列举的商品范围之间看上去是存在某种程度的冲突的，故建议对有关商品的列目原意予以审查，以消除注释条款中任何潜在的可能影响商品归类之客观、准确和统一性的因素。   文中部分图片来源网络 若涉嫌侵权请联系删除 |
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