典型的n型共轭聚合物是基于熔合的接受电子的构筑块。中科院长春应用化学研究所Jun Liu和Bin Meng等人报道了一种非稠环策略来设计n型共轭聚合物,即将吸电子的亚胺或氰基引入非稠环聚噻吩环主链的每个噻吩基。 所得聚合物n-PT1具有低的LUMO/HOMO能级-3.91 eV/-6.22 eV,高的电子迁移率0.39 cm2 V-1 s-1和高的薄膜结晶度。N掺杂后的n-PT1具有优良的热电性能,其电导率为61.2S cm-1,功率因数为141.7 µW m−1 K−2。这是迄今为止报道的n型共轭聚合物的最高功率因数,这也是聚噻吩衍生物首次用于n型有机热电材料。 n-PT1优异的热电性能归功于其对掺杂的优异耐受性。本工作表明,不含稠环的聚噻吩衍生物是一种低成本、高性能的n型共轭聚合物。
Sihui Deng, et al, An n-Type Polythiophene Derivative with Excellent Thermoelectric Performance, Angew. Chem. Int. Ed. 2023, e202216049 DOI: 10.1002/anie.202216049 https:///10.1002/anie.202216049 |
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