这场DRAM技术困局谁来破？

据全球半导体观察不完全统计，由DRAM与NAND Flash所主导的传统存储市场规模已超过1600亿美元，其中最大的内存细分市场DRAM，正逼近当前技术材料和工艺使用的基本物理极限。

从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，再到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，然后是即将登台唱戏的DDR5和正在研发的DDR6，20多年时间里，DRAM技术一直在突破向前。

当下新的技术解决方案如EUV光刻、HBM、3D DRAM、无电容DRAM等逐渐浮出水面，DRAM进入到下一个发展阶段，其未来技术路线如何呢？

何为DRAM和DDR？

在探讨DRAM技术未来如何演变前，我们先对DRAM和DDR的概念进行理清。

在半导体存储器中，按照电源关断后数据能否被保存可分为ROM（Read Only Memory只读存储器，关闭电源仍可保留数据）和RAM（Random Access Memory随机存储器，关闭电源即丢失数据）。位于RAM之下，又可分为SRAM（静态随机存储器）、DRAM（动态随机存储器）以及新型RAM（基于新材料研制而成，尚未实现商业化）三大类。

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