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场效应管是一种三端放大器件，它是利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。它具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点，而且还有输入电阻高、噪声低、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点，因而获得了广泛的应用。 场效应管的分类： 
1、 结型场效应管 根据导电载流子的不同，结型场效应管可分为N（电子型）沟道结型场效应管和P（空穴型）沟道结型场效应管。 1）结型场效应管的结构与类型 
2）结型场效应管的工作原理（以N沟道JFET为例） 
综上分析可知： 
2、 结型场效应管的伏安特性 1）输出特性 
2）转移特性 
3、 绝缘栅场效应管 结型场效应管在正常工作时PN结反偏，所以其输入电阻 较高，大于 ，但是反偏的PN结仍有微小的反向电流，所以当需要更高的输入电阻时，应采用绝缘栅场效应管。 
由于MOSFET制造工艺的成熟使它的体积可以做得很小，从而可以制造高密度的超大规模集成（VLSI)电路。而JFET放大电路应用较少。 4、 增强型MOS管 1）结构（以N沟道增强型MOS管为例）
2）工作原理
综上分析可知：
3）伏安特性
5、耗尽型MOS管 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子，已存在导电沟道。可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅极电流。
6、 MOS管使用注意事项 1）由于MOS管的输入电阻极高，一般大于109Ω。在使用中，MOS管都应该避免栅极悬空。测试时所用仪器应保证接地良好，焊接时要将烙铁可靠接地。 2）MOS管在保存时需要将各极短路。 3）MOS管的源极与漏极在结构上是对称的，一般可将源极与漏极互换使用。如果MOS管内部已将衬底与源极短接，则源极与漏极不能互换。对于结型场效应管来说，漏极与源极是可以互换的。 7、场效应管的参数和小信号模型 1）场效应管的主要参数
2）场效应管的小信号模型
3）场效应管与晶体管的比较 场效应管：源极（s）、栅极（g）、漏极（d） 晶体管：发射极（e）、基极（b）、集电极（c） 场效应管：截止区、恒流区、可变电阻区 晶体管：截止区、放大区、饱和区 主要区别：
8、场效应管放大电路（主要介绍基本共源极放大电路）
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