过流保护#正常运转之后,理论上电机反电动势等于电源电压,电机绕组上的电压等于电源电压减去反电动势等于零,但是由于存在铁损,铜损和摩擦等,反电动势不等于电源电压,所以绕组上的电压不等于零,有压降。 相电流状态:
电机电流不能太大,类比电感饱和后,在磁滞回线上磁导率变小,电感变小,电流突然增大,可能烧毁元器件;而电机电枢励磁太大,转子的磁钢就会退磁,甚至永久消磁,电机就不能用了。 电机退磁,电机输出功率下降(一部分转换为热量),电机效率变小,在相同的负载下,就需要更大的输入功率。而输入功率增加,导致退磁和发热更加严重,最终电机损坏。 因此我们需要监控电机的电流,主要是一个过流保护作用。 单电阻电流采样#电流采集分为高端采样和低端采样。 高端采样:对电压有要求,在高压场合需要隔离,成本高 低端采样:无需隔离,成本低,但注意不能破坏原来的系统阻抗 三相逆变电路中,在60°电周期内,只有一个下管导通,另外两个不通电流为零。因此我们可以把三个下桥的电流采样回路进行一个合并。 那么什么时候有电流? 上桥载波为例,在下管开通时候,以M1-M6开通为例,又分为
可见,只有PWM-on时,检流电阻上才有电流,但是相电流在PWM-off时并不为零,只是在减小。所以此时检流电阻并不能完全反应相电流。 BLDC的方波驱动,程序上不需要设置死区。因为死区是防止上下桥直通,但是两两导通星型三相六状态导通方式,每两个导通相都存在悬空相,悬空相是下一状态的导通相之一,因此有天然的死区。 当存在死区时,由于6个mosfet全部关断,所以绕组向电源充电,以U-W为例,电流流向W->M5体二极管->电源->地->检流电阻->M2体二极管->U。但是一般死区时间很短,可以忽略。 所以,我们只需要在PWM-ON期间对电流进行采样,也只能在PWM-ON期间采样。 单电阻检测的缺点就是无法全时检测电机电流,但是可以做过流保护,因为只关心上升电流有多大,会不会超限。 但是后面做FOC控制的话,就需要全时监控电流波形。我们需要清楚。 开关干扰#上面分析是理想情况,但是由于mosfet的寄生电容(米勒效应)与回路中电感成分存在,栅极电阻取值问题,波形更加复杂,在检流电阻上升沿或下降沿可能存在振荡现象。 一般要求mosfet的平台时间小于500ns(加大驱动电流和减小栅极电阻),否则管子容易发热。但不要小于100ns,否则GS波形上会产生振铃现象。 这就对ADC采样时间做出要求。我们在测量电流需要避开这个干扰区,需要知道干扰区的时间和MCU输出PWM驱动信号到mosfet的延时。 系统延时是PWM输入上升沿到mosfet的GS的平台电压的时间。大多数电机控制系统在2-3us。 这包含了运放延时,所以也对运放的压摆率做出要求。 考虑占空比小的情况:三电阻采样#单电阻采样弊端,因为只能在PWM-on期间采样,不能实时反应相电流,也决定了这种方式不能用于占空比小的情况:干扰区和高电平时间可以相提并论的时候,因为只能在PWM-on期间采样,在系统延时下,PWM-on期间我们就避不开干扰区采样,甚至采不到检流电阻上波形。
这样就可以全时反应相电流。 |
|