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介绍自 20 世纪 80 年代中期以来，MOSFET 一直是大多数开关模式电源 (SMPS) 中的首选晶体管技术。MOSFET 用作主开关晶体管，并在用作门控整流器时提高效率。本博客比较了P 沟道和N 沟道 增强模式 MOSFET，以帮助您选择最适合您的电源应用的开关。 一、MOSFET的构造MOSFET的结构与 FET 类似。在连接栅极端子的基板上沉积氧化层。由于该氧化层充当绝缘体（与衬底绝缘），因此 MOSFET 也称为 IGFET。在 MOSFET 的制造过程中，轻掺杂衬底会扩散有重掺杂区域。 根据所使用的基板，它们被分为P 型 或N 型 MOSFET 。 下图显示了 MOSFET 的结构。  MOSFET 的操作由栅极电压控制。由于栅极与沟道隔离，因此可以向其施加正电压和负电压。当栅极偏置电压为负时，它充当耗尽型MOSFET，当栅极偏置电压为正时，它充当增强型MOSFET。 二、MOSFET的符号  所有 MOSFET 上都有栅极 (G)、源极 (S) 和漏极 (D) 引脚。栅极和源极之间的电压 (Vgs) 决定电流是否流过源极和漏极。每种类型都有其打开或关闭 MOSFET 的逻辑。我将在接下来的两章中详细介绍它。 如果 MOSFET 完全导通且 Vgs 在 3 至 5 伏范围内，则它被归类为逻辑电平 MOSFET。如果您使用 5V Arduino 板，所有逻辑电平 MOSFET 都应该没问题。如果您使用 3.3V 板，请确保您使用的 MOSFET 与 3.3V 开关兼容。 MOSFET 通常需要 Vgs 为 10V 或更高才能完全导通。 三、N沟道 MOSFET与 P沟道MOSFETN 沟道 MOSFET的源极 接地，漏极连接负载，当向栅极施加正电压时，FET 导通。N 沟道 MOSFET 是最常用且最容易使用的。它们的生产成本也较低，因此比p 沟道 MOSFET的价格更低，性能更高。 在P 沟道 MOSFET中，源极连接到正电压，当栅极上的电压低于某个阈值 (Vgs 0) 时 FET 导通。这意味着，如果您想使用 P 沟道 MOSFET 切换高于 5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种类型）来打开和关闭它。 P沟道MOSFETP沟道区位于P沟道MOSFET的源极端子和漏极端子之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体。漏极和源极是p+区域，主体或衬底是n型。电流沿着带正电的空穴的方向流动。 当具有排斥力的负电压施加到栅极端子时，氧化层下方的电子被向下推入基板中。耗尽区充满了与施主原子相关的束缚正电荷。负栅极电压还将空穴从p+源极和漏极区域吸引到沟道区域中。  耗尽模式 P 通道  P通道增强模式 工作原理p 沟道耗尽型 MOSFET 在结构上与 n 沟道耗尽型 MOSFET 完全相反。在这种情况下，预构建沟道由夹在重掺杂p型源极和漏极区域之间的p型杂质制成。当我们向栅极端子施加正电压时，静电作用会吸引少数载流子，即来自p型区域的自由电子，从而形成静态负杂质离子。结果，在沟道中形成耗尽区，并且沟道的电导率降低。我们可以通过向栅极施加正电压来控制漏极电流。  N沟道MOSFETN 沟道 MOSFET的 N 沟道区域 位于源极端子和漏极端子之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体。这种类型的场效应晶体管的漏极和源极是重掺杂的n+区域，而衬底或本体是P型的。 此类 MOSFET 中的电流是由带负电的电子引起的。当具有排斥力的正电压施加到栅极端子时，氧化层下方的空穴被向下推入基板中。与受体原子相关的束缚负电荷填充耗尽区。 当电子到达通道时，通道就形成了。正电压还将电子从 n+ 源极和漏极区域吸引到沟道中。当在漏极和源极之间施加电压时，电流在它们之间自由流动，栅极电压控制沟道中的电子。如果我们施加负电压而不是正电压，则会在氧化层下方形成空穴沟道。  增强模式N通道  N 沟道耗尽型和增强型的符号 工作原理n沟道 MOSFET 的 工作原理是假设大多数载流子是电子。沟道中电子的运动负责晶体管中的电流流动。栅极端子的形成需要使用p衬底材料。 N 沟道特性在n沟道增强模式下，在栅极和终端源极电压超过最小电压截止值之前，没有电流流过晶体管。当在漏极和终端源极处施加电压时，没有可见的电流流动。  N沟道MOSFET的特性 四、N沟道MOSFET和P沟道MOSFET的区别N 沟道和P 沟道 MOSFET 之间的主要区别在于，N 沟道通常连接到负载（正在供电的设备）的接地 (-) 侧，而 P 沟道连接到 VCC (+) 侧。  为什么必须将一个与消极联系起来，而另一个与积极联系起来？ 增强型（“常闭”） 当栅极上相对于源极有足够高的正电压（逻辑电平 MOSFET 通常为 3 至 5 伏）时，N 沟道 MOSFET就会导通。您可以使用 VCC (+) 将源连接到地 (-) 来激活它。 如果将N 沟道 MOSFET连接 到负载的 VCC 侧，源值也将非常接近 VCC。要激活 MOSFET，必须向栅极施加大于 VCC 的电压。由于这种较高的电压并不总是容易获得，因此将电源接地更有意义。 增强型（“常闭”）P 沟道 MOSFET类似于颠倒的 N 沟道 MOSFET。如果栅极相对于源具有足够高的负电压，则它会激活。您可以通过将源连接到 VCC (+) 和地 (-) 来激活它。 将P 沟道 MOSFET连接 到负载的负侧与连接N 沟道 MOSFET具有相同的问题。只是这次源头离地面太近了。要激活门，必须施加负电压（相对于地）。 很简单：将 N 沟道 MOSFET 的源极引脚连接到电源的负输出，将 P 沟道 MOSFET 的源极引脚连接到电源的正输出。 五、为何优先选择 N 沟道 MOSFET 而不是 P 沟道 MOSFET？您可以以可以使用其中任何一个的方式设计电路。如果您有一个以 5V 电压运行的 Arduino，并且您打开的设备也以 5V 电压运行，那也没关系。只要接线正确，您就可以使用 N 沟道或P 沟道 MOSFET。 那么，为什么 N 沟道优于 P 沟道？ 使用N 沟道 MOSFET，您可以在 12V 电源和 Arduino 之间创建公共接地。 使用 P 沟道 MOSFET 时，必须创建公共 VCC 而不是公共地。然而，连接的设备和模块之间具有公共接地是标准做法。 您可以使用与 N 沟道 MOSFET 切换相同的 12V 电源为 Arduino 供电。 圆筒连接器的负输入直接连接到 Arduino 接地。当使用 N 沟道 MOSFET 作为电源开关时，这不是问题。无论如何，理由都是相连的。由于 5V 电源输入必须上拉至电源的正输出，因此无法使用 P 沟道 MOSFET 将电源的负输出连接到 Arduino 地。您也可以通过连接接地来通过 Arduino 发送 12 伏电压。 N 沟道 MOSFET在效率方面优于 P 沟道 MOSFET。 这一切都归结为物理学。N 沟道 MOSFET 中的电荷载流子是电子流。空穴流的迁移率比电子流低，在P 沟道 MOSFET中用作电荷载流子。结果，它们的抵抗力更强，效率更低。负载较高时，P 沟道 MOSFET 将比 N 沟道 MOSFET 更热。 六、MOSFET 的优点一些优点是：
七、MOSFET 的缺点一些缺点是：
八、MOSFET 的应用MOSFET的应用有
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