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8月29日，上海PCIM Asia展台上，罗姆半导体展出车载SiC功率模块的应用新案例、在研新技术以及扩产新情况。 应用新案例：从电动压缩机到主驱逆变器 从现场展示的案例来看，罗姆SiC功率元器件及模块已扩展应用于电动汽车的逆变器、电动压缩机等部件中。这些部件对能效提升都有着较为迫切的需求。
案例一，海姆希科SiC功率模块，应用于吉利多种车型 海姆希科是正海集团与罗姆半导体的合资公司，于2021年12月份注册成立。其中正海集团出资80%，罗姆出资20%。海姆希科以开展适用于新能源汽车的功率模块业务为目的，开展基于碳化硅功率芯片的功率模块的开发、设计、制造、销售及相关业务。它将通过正海集团旗下公司的逆变器技术、模块开发技术与罗姆的模块生产技术，先进的碳化硅芯片技术相融合，开发高效率的功率模块。 而吉利与罗姆的合作由来已久。自2021年开始，双方缔结以碳化硅为核心的战略合作伙伴关系。吉利将利用罗姆以碳化硅为核心的先进功率解决方案，开发高效电控系统和车载充电系统，以延长电动汽车的续航里程，降低电池成本并缩短充电时间。 案例二，华域三电电动压缩机HB模块 罗姆在功率元器件上一直贯彻着垂直整合型生产体系，SiC亦是如此，从衬底、外延、晶圆到封装均有布局。这也使罗姆的供应更加多元化。 华域三电和罗姆自2018年开展技术交流以来，双方在采用IGBT等先进功率元器件的车载应用产品开发方面建立了合作关系。经过两年多的技术交流，采用了罗姆IGBT功率元器件以及周边部件的电动压缩机于2020年10月成功投入量产。2021年1月，双方成立了“技术联合实验室”，合作关系进一步得以加强。 我们看到基本半导体、臻驱科技、苏州悉智科技的应用于逆变器的SiC功率模块同样出现在展台上。
据罗姆官网消息，也可以看到，纬湃科技、赛米控丹佛斯、马自达、今仙电机、芯驰科技、Lucid等先后与罗姆就SiC功率芯片和模块达成合作。 SiC产品进展：扩大封装组合 罗姆特别介绍了其在研的内置第4代SiC MOSFET HSDIP20 SiC模块，扩大封装组合。 罗姆称，新型模制SiC功率模块备有不同RDS（on）的750V和1200V器件。“HSDIP”具 有H桥（4in1）和三相全桥（6in1）配置，内置隔离功能，确保了应用的紧凑性。HSDIP20模块将基本电路集成在1个封装中，相比TO-247，体积缩减了34%，实现小型化。
2021年，罗姆发布第4代沟槽SiC MOSFET，未来将实现8英寸SiC衬底的量产，到2024年将推出全SiC牵引功率模块产品。 2021年推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受时间，并实现了业界超低的导通电阻。在车载逆变器中采用该产品时，与使用IGBT时相比，电耗可以减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算），非常有助于延长电动汽车的续航里程。 据了解，上汽大众与臻驱科技联合开发的首款基于SiC技术的 “三合一”电桥、日立安斯泰莫用于其纯电动汽车的逆变器，均已采用罗姆第4代SiC MOSFET，充分发挥了SiC器件的性能优势。 另外，罗姆专为xEV牵引逆变器应用而设计了内置绝缘元件的栅极驱动器，“BM611x系列”，这是一款3.75kV隔离、AEC-Q100认证的栅极驱动器。其中，“BM6112FV-C”专为高功率IGBT和SiC应用而设计，栅极驱动电流20A。 产能新进展：10年35倍 罗姆今年最令人震惊的地方在于产能的极速扩建。 到2030财年，罗姆计划将SiC产能提升至2021财年的35倍。
就在7月份，罗姆官宣与Solar Frontier Co., Ltd．就收购该公司原国富工厂资产事宜达成基本协议。收购计划于2023年10月完成。该工厂占地面积约400,000m²，建筑面积约230,000m²，其中约115,000m²规划主要用于生产SiC。 此后 国富工厂将成为罗姆SiC的四大生产基地之一 。 另外三大晶圆厂分别为阿波罗筑后工厂、LAPIS宫崎工厂、阿波罗筑后新建工厂。其中宫崎工厂从2021年开始批量生产第四代SiC MOSFET。阿波罗筑后新建工厂自2022年12月份开始批量生产，并且正在引入可将6英寸晶圆转换为8英寸晶圆的制造设备。 罗姆曾表示，成本一直是限制碳化硅大规模应用的因素之一。要解决成本问题，一是提升逆变器效率，从整体上降低成本。二是规模效应，通过量产效应提高价格竞争力。罗姆正在从这两个方面着手，解决碳化硅的成本问题。 |
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