直流无刷电机的数学模型是比较复杂的,网上这方面资料也是比较多的。这里主要简单说下这个硬件基本电路设计吧。 以三相无刷电机为例,见下两图: Figure1 一般简化的结构图 这里转子是永久磁体,这里简化是一个极对,实际上可能会是2对或者3对,更多都可能,见下图。定子是三相绕组均匀分布,ABC三相简化为右图的结构。 Figure2 转子磁体横截面 Figure3 转子运行的磁场受力矢量分析 Figure4 直流无刷电机的截面
Figure5 MOS驱动电路
D1和C2是一个自举电路,为了驱动Q5和Q6,其实这个主要是用来驱动Q5。因为NMOS的VGS是正电压驱动,Q6的S端是经过0.05R到GND1,所以Q6是可以直接被15V驱动到饱和的;Q5的A点驱动前可以假设是悬空的(也可以认为是经过电机的绕组,再经过0.05R到GND1,再经过0.05R到GND,这样的一个回流),看下图IR2101S内部符号图,如果加上一个储能电容,和一个二极管,可以理解为是一个典型的开关全导通的boost电路,至少保证电容上面的电压足以驱动Q5的VGS。MOS的GS端可以接上一个10K电阻,G端可以是再并上一个快速放电二极管串上一个33电阻,安规处理可以再接上一个稳压管等等。 Figure6 IR2101S内部符号图 Figure7 电流转换电路 经过电流的采样后,IA * 0.05R得到VA,经过差分的走向后,再经过同相加法运算求解出对应的输出电压。VREF为3.3V的一半,1.65V后跟随器输出。 见下图解析,R1、R3、R5和R2、R4、R6是平衡电阻,达到电路的相互平衡和PCB走线有些共模干扰信号会相互抵消,VF1可以使用叠加定理(独立电源代入再整合求解),这里以更简单方法(高电位-低电位)*电阻比值+低电位,VF1 =(1.65-0.2)*2/12+0.2 = 0.4416V。VF2 = (1+(R5/R1//R2))*VF1=6*0.4416=2.65v。整合简易的电路,VF2=[(1.65-0.05IA)/6 + 0.05IA]*6=1.65+(0.25/6)IA的公式。根据公式当电流大的了,VF2的电压比较大,会损坏控制芯片引脚,所以这个电路需要修改的,还有就是在后级加个BAV70、BAV99这些保护器件更好些。 Figure8 电流转换电路仿真(软件tinati) 下面是无感直接电机一个反电动势的阻值分压和比较电路。MITTLE为中间电位,不需要过于研究电位实际大小,基本上确定Vemf>MITTER >0V,足够比较器比较输出高和低到MCU。最后两个图是对应的运行过程,对比下就好了,推导一遍,把原理搞定,剩下要搞下软件和算法。待软件技术提高了,后续相关篇章再出吧。 Figure9 无感的EMF比较电路 Figure10 无刷电机运行信号变化过程 Figure11 无刷电机运行信号变化过程对应的机械控制 作者:Lgnited |
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