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作为全球最大的 NAND 内存供应商，三星还是非常具有野心的，在这方面三星也的确还是世界的巨头，这点是毋庸置疑的。三星制定了开发 V-NAND（该公司称之为 3D NAND）的宏伟计划，并于前段时间分享了其中的一些计划。该公司确认，其有望在 2024 年生产出超过 300 层的第 9 代 V-NAND 存储器，并表示其将拥有业内最多的活动层。 三星电子总裁兼内存业务主管 Jung-Bae Lee 在《三星电子》中写道：“第九代 V-NAND 将于明年初顺利量产，其层数是业界最高的，基于双堆栈结构。” 媒体8 月份获悉，三星正在开发超过 300 层的第 9 代 V-NAND，该技术将保留三星在 2020 年首次采用的双堆叠技术。三星不仅证实其下一代非闪存技术正在走上正轨。易失性存储器，而且据说它比竞争对手的 3D NAND 存储器有更多的活动层。目前可以知道的是SK Hynix 的下一代 3D NAND将具有 321 个有源层，因此三星预计其内存将具有更多层。 层数的增加将使三星能够提高其 3D NAND 设备的存储密度。该公司预计即将推出的闪存类型不仅能提高存储密度，还能提高性能。 Jung-Bae Lee 说道：“三星还在致力于下一代价值创造技术，包括最大限度提高 V-NAND 输入/输出 (I/O) 速度的新结构。” 我们不知道三星第 9 代 V-NAND 的性能如何，但有理由相信该公司将在其即将推出的 SSD 中使用这种内存，到时候人们就会看到该公司配备 PCIe Gen5 接口的零售 SSD——三星 990 Pro 系列的后继产品，该系列目前仍然是最好的 SSD之一。 就长期技术创新而言，三星致力于最大限度地减少单元干扰、降低高度并最大化垂直层数，这将使其能够实现业界最小的单元尺寸。这些创新将有助于推动三星创建超过 1000 层的 3D NAND 以及高度差异化的内存解决方案的愿景，并确保该公司的产品与数据中心、个人电脑和其他应用保持相关性。 >>>错与罚<<< 公安部督办非法机顶盒大案告破：涉案2亿元！
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