常用MOS电源开关电路图 NMOS、PMOS高低侧电源开关电路设计

陸号鱼 2023-12-27 发布于山东

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随着对器件的控制需求提升，越来越多的电源开关电路出现在设计中。这些设计的目的各有不同：有的需要快速开通与关断，有的需要低导通电阻+大电流，有的需要闲时0功耗。虽然应用场合不同，但做开关可是MOS的强项。下面来介绍几种产品设计中常用的MOS做电源开关的电路。

1、NMOS低侧电源开关

【低侧驱动，最简单最实用，但不一定适用所有的电路，会对部分电路的工作有影响】

由于NMOS和PMOS在原理和生产工艺上存在差异，导致同价格的NMOS在开通速度、额定电流、导通内阻这些参数上均优于PMOS，所以设计中尽量优先选择NMOS。

下图为使用NMOS，最简单的开关电路。(低侧驱动)

CONTROL为控制信号，电平一般为3~12V。负载一端接电源正极，另一端接NMOS的D(漏极)。

CONTROL电平为高时，Vgs>NMOS的Vgs导通阀值，MOS导通，负载工作。

CONTROL电平为低时，Vgs=0，MOS关断，负载停机。

1.1、设计时注意事项

1.1.1、泄放电阻 R1

上面这个电路中，通常都会在NMOS的G极、S极间，并联一个10K左右的电阻。这个电阻通常被叫做泄放电阻，用来泄放GS极间的电荷。加它的原因是因为MOS的GS极间的阻值非常高，通常为M欧以上，并且GS间还有结电容，这就导致GS一旦充电，就很难释放掉。如果没有这个泄放电阻，在G极通入高电平，负载会工作，而将G极上的控制信号拿开，由于结电容的存在，GS间的电压会维持在导通阀值以上很长一段时间，负载仍会继续工作。而加了泄放电阻，会加快泄放速度，使电路功能更加合理易用。

1.1.2、Vgs电压范围对导通速度、导通内阻的影响

通常来讲，TO-220、TO-251AA、SOP-8、SO-8(DFN3x3 5x5)、TO-252、TO-263 这些封装较大的器件，其额定耐压、额定电流都比较大，Vgs的最大允许范围一般为± 20V。

因Vgs的驱动电压越高，MOS的导通电阻就越小，导通速度也越快，所以像电机控制一般多使用12V作为驱动电压。(见下图手册，Vgs=4.5V 和 10V 时，MOS导通内阻的对比)

SOT-23封装的MOS，其Vgs最大范围一般为± 12V。

切莫使Vgs超出手册规定的范围，会使MOS损坏。

下图为 IRLR7843 - NMOS 数据手册的部分内容。

1.1.3、寄生结电容 | 驱动电流 | 栅极驱动器

1.1.3.1、寄生结电容对开断速率的影响

MOS的GS极间的寄生结电容大小，影响了开断速度。越小开断越快，响应越迅速。选型时，应尽量选择小的，可以有更快的开断速度，以降低开关损耗。

1.1.3.2、寄生结电容和驱动频率对驱动电流的需求

MOS的GS极内阻非常大，对外主要体现为容性，低频时对电流的需求不明显，而随着频率升高，电容充放电频率的加快，电容的容抗与频率成反比，容抗变小。

容抗公式

这时在输入信号的频率相对较高的条件下，驱动MOS就需要比以前大得多的驱动电流。大到一定程度，MCU 端口能提供的几mA电流就显然不够用了，继续使用MCU端口直驱，一方面会使MCU过载，另一方面会对输出信号的波形造成衰减，严重时会影响NMOS的正常开通。

这种情况，常见于电机控制或者电源转换。控制信号通常为几十KHz~几M的PWM波形。需要使用专用的MOS栅极驱动IC。NMOS的低侧驱动IC很简单，内部大多为一个半桥。市面上使用更多的驱动IC为高侧+低侧栅极驱动IC，即为NMOS半桥栅极驱动，而单单低侧的栅极驱动由于较为简单，搞个NP对管就能实现相近的效果，即使芯片有很多选择，也并不常用。

2、NMOS高侧电源开关(高侧驱动，稳定、性能好)

【也叫高端驱动、高边驱动，因高端中文容易混淆，所以一般书面形式叫高边、高侧的会多一些】

NMOS做低侧开关，是用NMOS将元件的GND浮空，并通过开通GND开开关电路负载。

一般的电路这样用可能没什么问题，但有的则不行，例如需要低侧电流采样的电机驱动电路，可能导致工作异常。或者有电源完全断开的需求，NMOS低侧开关显然不适合。

NMOS的高侧栅极驱动，一般需要搭配额外的栅极驱动芯片，这类芯片大体有两种：

1、集成电荷泵的NMOS高侧驱动：一种是内部集成电荷泵的。可允许高侧NMOS的持续开通，即允许100%占空比输入。性能稳定，但栅极驱动器芯片的成本略高。

2、电容浮栅自举：另一种是通过电容浮栅自举。需要输入信号为PWM，通常只允许99%占空比输入，以在空闲时间给自举电容充电。这种应用需要限制PWM信号的占空比，不能100%占空比输入，不能高侧持续导通。

电容浮栅自举电路原理

电机控制和功率变换应用中，较多使用的是电容浮栅自举，其内部电路形式大多为高侧+低侧栅极驱动IC，或者叫NMOS半桥栅极驱动IC。其内部集成死区控制器，以防止半桥上下管同时开通，造成短路MOS过流损坏，俗称炸管。常用型号如 IR2101、IR2104、IR2110、IR2130，市面上的大多数栅极驱动IC多以这几款IC为仿照蓝本。

下面简述下电容自举电路的原理，其是如何实现高压隔离和电容自举充放电的。个人理解可能有偏颇，还望指正。这里以 IR2101 的手册为例。

请留意第二张的右上角：

0、图1右侧的TO与LOAD是直接连接的，且 HIN、LIN 的信号近似为差分(一般会额外插入些死区)，所以右侧半桥输出的电平，可以近似的看为 0 ~ 600V 的数字信号，输出不是600V就是0V。这是大前提，这里先不考虑外部负载对上升、下降沿过程的影响，近似看做纯数字电路来方便理解。

1、当输入信号 HIN 为0时，图2右上角的高侧MOS关断，低侧MOS导通。外部高侧NMOS的GS通过内部的低侧MOS来迅速放电，使外部高侧MOS关断。于此同时，外部低侧MOS导通，半桥输出电平为0V，可近似看作自举电容的低边直接接到了GND上，构成了自举电容的充电回路。这时自举电容会在二极管的辅助下，择机充电。

2、当输入信号 HIN 为1时，图2右上角的高侧MOS导通，低侧MOS关断。自举电容通过 Vb -> HO 路径向外部的高侧NMOS放电，于是外部的高侧NMOS导通，自举电容逐渐放电电压缓慢变低。因MOS的GS极间内阻非常大，外部的高侧NMOS可以保持导通很长时间。【这步相当于将冲好电的自举电容，突然架空GND，再瞬间转移到到 Vs 和 HO 上，使外部NMOS的GS间电位与自举电容保持一致。整个过程与电荷泵倍压的原理几乎是一样的，只不过这里的充放电频率与HIN、LIN的频率保持一致，而电荷泵倍压一般使用内置震荡源】

因 HIN、LIN 输入信号为PWM，且限制最大占空比为99%，上面过程随PWM周期重复。