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锑化铟晶体，锑化铟(InSb)晶体基片， 可以采用区域熔炼、直拉法制备 今日小编分享锑化铟晶体，锑化铟(InSb)晶体基片， 可以采用区域熔炼、直拉法制备： 描述： 锑化铟（InSb）是一种由元素铟（In）和锑（Sb）制成的结晶化合物，具有稳定的物理化学性能和优良的工艺相容性。它是用于红外探测器的III-V族的窄间隙半导体材料，包括红外热像仪、FLIR系统、红外制导导弹系统和红外天文学。 以下是锑化铟晶体的基本信息： 晶体结构：InSb为立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。 密度和熔点：密度为5.775g/cm³，熔点为525℃。 电子特性：InSb是一种窄带隙半导体，其室温禁带宽度在300K时为0.17eV，在80K时为0.23eV。 载流子浓度和迁移率：在室温下，其本征载流子浓度为1.1×10²²/cm³，电子和空穴的迁移率分别为78000cm²/Vs和40000cm²/Vs。 掺杂和导电类型：InSb可以掺杂为N型或P型，其导电类型取决于掺杂类型。 位错密度：位错密度较低，小于2×10²cm⁻²。 应用领域：由于其良好的电子特性和光电性能，InSb晶体被广泛应用于制作高灵敏度的光电探测器、红外探测器、激光器等器件。 制备方法：InSb晶体可以采用区域熔炼、直拉法制备。 不可用于人体，小编RL+2024.1 |
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