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干法制备LTCC低温共烧陶瓷基片 低温共烧陶瓷 (LTCC) 技术是集互联、无元件和封装于一体的多层陶瓷制造技术，是一种低成本封装的解决方案，是未来整合元件和高频应用基板材料最具发展前景的技术。 基于LTCC为基础的多层结构设计可有效减小器件体积，是实现元器件向小型化、集成化、高可靠性和低成本发展的重要途径。 LTCC基板的制备核心技术是高质量基片的坯体成型，目前主流的LTCC基板的成型技术是流延法。 流延法LTCC生瓷带对流延浆料配制、载体选择，除泡技术，流延片厚度及精度控制，烘干技术都有着极高的要求。 干法工艺制备LTCC生瓷片是陶瓷薄膜制作的一种革命性的技术，上海联净首先提出利用干法工艺制造陶瓷薄膜，利用机械和物理方法将陶瓷材料、固体粘合剂混合均匀后，通过连续辊压方式制备出生瓷片，该技术彻底省去了流延法的浆料调配、流延、干燥、脱脂工序。同时，不再使用有机溶剂或水、无需溶剂回收装置，是一种低能耗、绿色、低碳的生产工艺。  干法LTCC生瓷片制造工序示意  流延法LTCC生瓷片工艺流程图  干法LTCC生瓷片工艺流程图 干法工艺适应各种LTCC材料体系 微波介质材料与器件行业一方面为了缩小器件的体积而开发同介电常数的材料体系，另一方面为了提高器件的灵敏度而研究高品质因子的材料配方，重视器件工作的同温度性而开发小谐振频率温度系数的介质陶瓷，目前开发的可低温烧结的材料体系主要有:1、低介电常数体系、中介电常数体系、高介电常数体系 而在LTCC 技术产业的推动下，LTCC 微波介质陶瓷材料不仅仅涉及降低烧结温度，而且兼顾材料介电特性以及料浆制备、陶瓷与金属电极共烧等工程应用方面的问题，但是都难以配制粘度适中的料浆:如添加B203、V205 等烧结助剂的LTCC 材料体系本身介电性能较好，但存在料浆粘度大、难以流延成型的问题. 干法工艺技术完美解决流延法LTCC生瓷片的各类问题 生瓷片的制备对于整个LTCC技术至关重要，在电子元器件的设计过程中，除对介质材料选择外，生瓷片的表面粗糙度、厚度、均匀性等是获得性能优良的基板，实现各个器件性能的前提。 表面粗糙度 生瓷片表面粗糙度对电极印刷的均匀性具有重要影响，当生瓷片表面粗糙度较大 时，表面凸起部分会造成印刷电极较薄甚至残缺，导致元器件性能失效；其次，生瓷片表面凸起还会造成印刷电极表面的不平整，延长电流信号的传输路径。 影响流延法生瓷片表面粗糙度的因素众多，刮刀的精度、烘干后不同伸缩率、浆料的均匀性。流延生瓷片表面粗糙度一般>1.0μm 干法工艺采用粉体+固态粘接剂干混、纤维化、通过连续辊压过程制得厚度一致的生瓷片，干法生瓷片表面粗糙度一般＜0.5μm 均匀性 流延后，通常是用热空气干燥，料浆薄膜在热空气中通过。必须控制热空气的流动以实现均匀干燥。如果生片突然在热空气中通过，首先是表面干燥，形成一干膜，使溶剂难以蒸发而残留在内部待以后挥发，这就有可能产生不均衡而在生片的表面形成裂、发泡和其他宏观缺陷，并且如果料浆的干燥速率慢，陶瓷粉料和有机材料会产生垂直分层，导致生片厚度方向的成分不均。 干法工艺材料在干混过程中形成均匀的混合粉体，在后续制膜过程中，没有影响粉体分层的工序，生瓷片微观结构中，材料保持高度的均匀性。 片材厚度 流延法的工艺决定了浆料的粘度范围，也决定了厚度的最高限度，一般在0.02mm-1mm之间 干法工艺通过固体粘接剂PTFE纤维化，在粉体内部形成三维网络交联机构，通过辊体间隙控制最终产品的厚度，一般在0.02-3mm之间 片材的外形尺寸稳定性 流延后，由于垂直结构差异的影响，生瓷片立即变形。由于生瓷片经受载膜的压缩应力，又因生瓷片本身的张力而形成内部应力之故。因此，当载膜剥离生瓷片后，内部应力被释放，生瓷片立即收缩0.05%左右。载膜剥离后随着残留溶剂的逐渐消散及生瓷片中所含水分的挥发，产品尺寸还会有所变化。 而干法工艺技术，成膜过程中无载膜要求，无需溶剂和水的参与，生瓷片制备完成后，材料的尺寸稳定性高。 其他 干法工艺的独有特点，避免了流延法生瓷片常出现的气泡、针孔、皱纹、干裂，甚至不易从基板上脱落等缺陷。  联净干法工艺制备LTCC生瓷片  
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