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一个碳化硅芯片业余爱好者的学习笔记。文献整理，业界新闻，偶有所得，天马行空。本公众号属于个人学习笔记，仅为个人业余兴趣爱好，不涉及任何商业目的。文中如果有引用不规范的地方敬请见谅。有人的爱好是养花养草唱歌钓鱼，也有人喜欢写Twiter博客抖音，我最近几年，喜欢周末偶尔读点书刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技术发展。
题记：做点有趣的事，做个有趣的灵魂。 最近和朋友们聊天，已经有四五家的碳化硅沟槽MOSFET做了点样品了。先不管能不能做产品，结构好不好，但至少说明，碳化硅沟槽时代要来临了……有朋友看了Peter Gammon- 对碳化硅未来'沟槽之战'的文章，问我说，二堡你对八寸碳化硅沟槽MOS技术发展时代，特别是引入'微沟槽'技术之后，未来各种SiC基础沟槽结构IP的发展怎么看?哪些有专利问题，哪些有发展前途…先来个引子，画了个汇总对比图。后面有时间再慢慢分析探讨。注意，咱讨论的是几种基础结构，不是各家公司开发中的专利结构。这和咱们讨论NAND存储芯片的三种基础结构路线一样，但NAND存储芯片厂商有几十家不同专利，但基础结构路线，就是东芝三星美光那三个。https://www./post/trench-warfare-a-sic-battlegroundTrench Warfare: A SiC BattlegroundThere is a split in the SiC industry between IDMs who are opting for conservative, safe planar MOSFET designs, and those who are pushing ahead with efficent, compact, trench MOSFET designs. While the planar designs appear to have the majority of the booming electric vehicle drivetrain inverter market today, cost pressures and marginal gains may in the near future bring trench deisgns to the fore. In this article we explain the different pros and cons of the two designs, their current commercial implications and the future outlook for these device.
嗯嗯…
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